[发明专利]去除基板表面ITO的方法

说明书

本发明涉及一种去除基板表面ITO的方法。一种去除基板表面ITO的方法，包括以下步骤：将表面有ITO的基板放置于酸液中浸泡进行酸洗，所述酸液按重量百分比计，包括20％～25％的盐酸、30％～35％的醋酸及40％～50％的水；及将经过酸洗的所述表面有ITO的基板清洗除去表面的酸液后放置于碱液中进行碱洗得到除去ITO的基板，所述碱液按重量百分比计，包括8％～10％的碱、15％～20％的非离子表面活性剂及70％～77％的水。上述去除基板表面ITO的方法成本较低、较为安全、且不易造成基板破裂。

技术领域

本发明涉及一种去除基板表面ITO的方法。

背景技术

薄膜晶体管基板具有良好透明导电性能，具有禁带宽、可见光区域光透射率高和电阻率低等优点，从而广泛的应用于平板显示器件、太阳能电池及其他光电器件中。薄膜晶体管基板是在基板表面通过磁控溅射等方法沉积一层氧化铟锡(ITO)层制成。当ITO层达不到要求或者出现瑕疵的时候，就要将ITO层去除。

目前，一般都采用物理研磨的方法与化学配置王水方法将ITO层蚀刻。然而，物理研磨法通过研磨去掉薄膜晶体管，容易造成基板厚度偏薄达不到客户指定要求，同时研磨时容易裂片，造成更大损失；化学王水蚀刻法去掉薄膜晶体管时，基板边缘易漏酸，同时王水蚀刻成本、安全不易管控。

发明内容

基于此，有必要提供一种成本较低、较为安全、且不易造成基板破裂的去除基板表面ITO的方法。

一种去除基板表面ITO的方法，包括以下步骤：

将表面有ITO的基板放置于酸液中浸泡进行酸洗，所述酸液按重量百分比计，包括20％～25％的盐酸、30％～35％的醋酸及40％～50％的水；及

将经过酸洗的所述表面有ITO的基板清洗除去表面的酸液后放置于碱液中进行碱洗得到除去ITO的基板，所述碱液按重量百分比计，包括8％～10％的碱、15％～20％的非离子表面活性剂及70％～77％的水。

在其中一个实施方式中，所述酸洗的时间为5分钟～10分钟。

在其中一个实施方式中，所述酸洗的操作中，在所述酸液中进行鼓泡处理。

在其中一个实施方式中，所述将经过酸洗的所述表面有ITO的基板清洗除去表面的酸液的操作中，将所述表面有ITO的基板放置于流动的纯水中清洗8分钟～10分钟。

在其中一个实施方式中，所述碱洗的时间为5分钟～10分钟。

在其中一个实施方式中，所述碱选自氢氧化钾及氢氧化钠中的至少一种。

在其中一个实施方式中，所述非离子表面活性剂选自烷基酚聚氧乙烯醚、聚丙烯酰胺、烷基酚聚氧乙烯醚及脂肪酸聚氧乙烯酯中的至少一种。

在其中一个实施方式中，所述非离子表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、脂肪酸甘油酯、脂肪酸山梨坦及聚山梨酯中的至少一种。

在其中一个实施方式中，还包括步骤：将所述除去ITO的基板用水喷淋3分钟～5分钟。

在其中一个实施方式中，还包括步骤：将所述除去ITO的基板用水喷淋3分钟～5分钟后，依次进行水清洗、碱溶液清洗、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋将所述除去ITO的基板表面清洗干净，之后干燥处理。

上述去除基板表面ITO的方法，通过依次进行酸洗及碱洗的方式去除基板表面ITO，酸液包括20％～25％的盐酸、30％～35％的醋酸及40％～50％的水，酸液及碱液的浓度较低，因此成本低且安全性高；通过酸洗与碱洗配合的方式除去ITO，不易损伤基板，不会造成基板破裂。

具体实施方式

下面主要结合具体实施例对去除基板表面ITO的方法作进一步详细的说明。