[发明专利]一种马铃薯茎尖的纳米育苗方法

权利要求书

1.一种马铃薯茎尖的纳米育苗方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）选择无毒块茎，在发芽室内，控制光温条件为：8000-10000lx，18-22℃，12-14h光照/天，待块茎发芽后，切取1-2厘米的茎尖，备用；

（2）除去茎尖上的小叶，用水冲洗1-2小时，紫外灯照射30分钟，放入75%酒精中浸泡5-10分钟，然后在5%的漂白粉溶液种浸泡2-5分钟，用自来水冲洗，然后放入5%0.125M的升汞溶液中浸泡15-20分钟，再用无菌水清洗5次即可；

（3）用解剖刀从已消毒茎尖的生长点部位切取生长点组织，接种到纳米培养基上，每升培养基包含：0.8mgNAA，2.5mg6-BA,45mg蔗糖，12mg纳米助剂；

（4）控制培养条件为：温度18-25℃，光照强度2000-4000lx，培养基PH值为5.8；

（5）将育成幼苗根部用自来水冲洗干净，在22-25℃，湿度70-80%，光照强度为4000-6000lx条件下炼苗3-4天，炼苗完成后移栽即可。

2.如权利要求1所述一种马铃薯茎尖的纳米育苗方法，其特征在于，所述纳米助剂的制备方法为，取混合比为4:1的粉煤灰和海泡石混合溶液95份，在0℃的条件下搅拌活化2小时，加入5份十二烷基磺酸钠，3×10⁴r/min高速剪切4小时，反应溶液冷却至是问候减压抽滤，所得沉淀在105℃下干燥至恒重，即得纳米助剂。