[发明专利]一种安全保护电路有效
| 申请号： | 201510941254.8 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105513641B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张涛;杨建利;周洋 | 申请（专利权）人： | 鸿秦（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/22 | 分类号： | G11C16/22 |
| 代理公司： | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人： | 李文军 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区上*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二选一模拟开关 非易失性存储器 安全保护电路 信息安全保护 印制电路板 存储器 控制信号 走线 非易失存储器 数据存储模块 数据存储容量 物理性破坏 信号输入端 不可恢复 存储矩阵 存储阵列 方案数据 时间开销 输入电路 数据销毁 外部 读写 功耗 使能 寻址 访问 | ||
1.一种安全保护电路，其特征在于，包括信号输入端对应的PAD(1)、ESD保护二极管(6)、二选一模拟开关I(21)、二选一模拟开关II(22)和数据存储模块，所述二选一模拟开关I(21)的一个输入端口与所述信号输入端对应的PAD(1)相连，另一个输入端口接二极管销毁电压VDDH输出端(3)，输出端口与数据存储模块相连，所述二选一模拟开关II(22)的一个输入端口接正常工作电压VDD输出端(5)，另一个输入端口接二极管销毁电压VDDH输出端(3)，输出端口与所述ESD保护二极管(6)的一端相连，所述ESD保护二极管(6)的另一端与所述数据存储模块相连，所述二极管销毁电压VDDH能够阻止来自信号输入端对应的PAD(1)的信号到达数据存储模块；
所述数据存储模块包括通向存储阵列的缓冲门(8)、存储阵列信号输入模块(9)和存储阵列，其中所述通向存储阵列的缓冲门(8)与二选一模拟开关I(21)的输出端口、ESD保护二极管(6)相连，所述通向存储阵列的缓冲门(8)和存储阵列通过存储阵列信号输入模块(9)相连；
所述二极管销毁电压VDDH高于所述通向存储阵列的缓冲门的击穿电压。
2.根据权利要求1所述一种安全保护电路，其特征在于，还包括信息安全保护使能输入信号，所述信息安全保护使能输入信号(4)为无效时，所述二选一模拟开关I(21)与所述信号输入端对应的PAD(1)导通，二选一模拟开关II(22)与正常工作电压VDD输出端(5)导通；所述信息安全保护使能输入信号为有效时，所述二选一模拟开关I(21)和二选一模拟开关II(22)均与所述二极管销毁电压VDDH输出端(3)导通。
3.根据权利要求1或2所述一种安全保护电路，其特征在于，所述信号输入端对应的PAD(1)为非易失性存储器的数据信号，读写使能或者地址信号的输入端对应的PAD。
4.根据权利要求1或2所述一种安全保护电路，其特征在于，所述二极管销毁电压VDDH由所述安全保护电路的外部产生。
5.根据权利要求1或2所述一种安全保护电路，其特征在于，所述二极管销毁电压VDDH由所述安全保护电路的中的升压电路产生。
6.根据权利要求1或2所述一种安全保护电路，其特征在于，所述安全保护电路设置于非易失性存储器。
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