[发明专利]一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器

权利要求书

1.一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器，包括衬底(5)和包层(6)，其特征在于，包括输入波导(1)、横电模输出波导(2)、横磁模输出波导(3)和水平槽式微环(4)；

所述衬底(5)位于包层(6)内底部，输入波导(1)、横电模输出波导(2)、横磁模输出波导(3)和水平槽式微环(4)放置于衬底(5)上方紧贴衬底(5)表面；水平槽式微环(4)自下而上依次包括底部介质波导环(41)、低折射率材料填充环(42)和上部介质波导环(43)；

所述波导均为硅基波导，其中输入波导(1)与横电模输出波导(2)直通相连形成输入输出波导，水平槽式微环(4)位于平行放置的输入波导(1)和输入输出波导之间。

2.如权利要求1所述的一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器，其特征在于，所述输入波导(1)、横电模输出波导(2)、横磁模输出波导(3)、水平槽式微环(4)的底部介质波导环(41)和上部介质波导环(43)的高度均相同。

3.如权利要求2所述的一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器，其特征在于，所述输入波导(1)、横电模输出波导(2)、横磁模输出波导(3)、水平槽式微环(4)的底部介质波导环(41)和上部介质波导环(43)的高度为220nm至270nm。

4.如权利要求3所述的一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器，其特征在于，所述的低折射率材料填充环(42)的高度为80nm至120nm。

5.如权利要求1所述的一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器，其特征在于，所述的低折射率材料填充环(42)的折射率为小于1.8的材料。

6.如权利要求1所述的一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器，其特征在于，所述输入波导(1)、横电模输出波导(2)、横磁模输出波导(3)、水平槽式微环(4)的底部介质波导环(41)和上部介质波导环(43)均采用折射率大于1.8的材料。

7.利用权利要求1-6任一所述的一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器实现的硅基水平槽式微环偏振复用和解复用方法，其特征在于，解复用功能实现步骤如下：自输入波导的输入口输入光信号，则横电模输出波导的输出端口输出横电模光信号TE偏振模式和横磁模输出波导的输出端口输出横磁模光信号TM偏振模式；

复用功能实现步骤如下：将横电模光信号TE偏振模式自横电模输出波导的输出端口输入，横磁模光信号TM偏振模式自横磁模输出波导的输出端口输入，则输入波导的输入口输出偏振复用后的光信号。