[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法

权利要求书

1.一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；金属电极直接和欧姆接触层接触，钝化层覆盖在整个器件表面。

2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度霍尔元件，其特征在于，所述GaAs功能层的掺杂类型为N型掺杂，掺杂浓度为2E15cm^-3到5E16cm^-3。

3.根据权利要求1所述的一种高灵敏度霍尔元件，其特征在于，所述欧姆接触层的材料为AlGaAs或InGaAs，掺杂类型为N型掺杂，掺杂浓度为1E18cm^-3到1E19cm^-3。

4.一种权利要求1-3任一项所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在半绝缘GaAs衬底上依次外延生长GaAs功能层和欧姆接触层；

S2、对GaAs功能层和欧姆接触层进行图案化，形成台面；

S3、在欧姆接触层表面蒸镀金属电极；

S4、选择性腐蚀去除GaAs功能层表面的欧姆接触层；

S5、在霍尔元件表面制备一层钝化层。

5.根据权利要求4所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述GaAs功能层的掺杂类型为N型掺杂，掺杂浓度为2E15cm^-3到5E16cm^-3。

6.根据权利要求4所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述欧姆接触层的材料为AlGaAs或InGaAs，掺杂类型为N型掺杂，掺杂浓度为1E18cm^-3到1E19cm^-3。