[发明专利]载台机构及半导体加工设备

说明书

本发明提供的载台机构及半导体加工设备，其包括上载台、下载台和旋转轴，其中，上载台和下载台相互叠置；在上载台上设置有贯穿其厚度的片位槽，晶片位于片位槽内，且由下载台的上表面承载；并且，在上载台上，且位于片位槽的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽；在下载台的上表面设置有第二取片槽；上载台和下载台可围绕旋转轴相对旋转，以使第二取片槽与第一取片槽相重合或者完全错开。本发明提供的载台机构，其可以减小取片槽对晶片边缘处的沉积速率的影响，从而可以提高薄膜厚度的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种载台机构及半导体加工设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，以下简称PECVD)设备是是半导体行业较为普遍的一种真空镀膜设备，广泛用于SIO₂、SiNx、SiON等介质膜的沉积。

在LED领域，PECVD设备是芯片工艺中重要的镀膜设备，其通常利用载台承载晶片。图1为现有的载台的俯视图。请参阅图1，载台1通常采用整体式结构，其包括多个片位槽2，用以承载和固定晶片。而且，为了避免操作人员在进行取放片操作划伤晶片，提高取放片效率，在每个片位槽2的边缘处还设置有取片槽3，该取片槽3的深度大于片位槽2的深度，当需要自取片槽3取出晶片时，操作人员可以使用吸笔自取片槽3掀起晶片，从而可以更方便地取出晶片。

但是，由于取片槽3的深度大于片位槽2的深度，在工艺过程中，取片槽3会对晶片边缘的沉积速率产生影响，从而造成沉积在晶片表面上的薄膜厚度不均。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种载台机构及半导体加工设备，其可以减小取片槽对晶片边缘处的沉积速率的影响，从而可以提高薄膜厚度的均匀性。

为实现本发明的目的而提供一种载台机构，用于承载晶片，包括上载台、下载台和旋转轴，其中，所述上载台和下载台相互叠置；在所述上载台上设置有贯穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽内，且由所述下载台的上表面承载；并且，在所述上载台上，且位于所述片位槽的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽；在所述下载台的上表面设置有第二取片槽；所述上载台和下载台可围绕所述旋转轴相对旋转，以使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合或者完全错开。

优选的，所述上载台通过相对于所述下载台正转而使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合；所述上载台通过相对于所述下载台反转而使所述第二取片槽与所述第一取片槽完全错开。

优选的，在所述上载台的中心位置处设置有中心通孔，所述旋转轴竖直向下穿过所述中心通孔，并与所述所述下载台固定连接；通过旋转所述上载台，使其与所述下载台相对旋转。

优选的，在所述下载台的中心位置处设置有中心通孔，所述旋转轴竖直向上穿过所述中心通孔，并与所述上载台固定连接；通过旋转所述旋转轴，使所述上载台与所述下载台相对旋转。

优选的，还包括旋转驱动装置，用于驱动所述旋转轴旋转。

优选的，所述片位槽为一个或多个；多个所述片位槽围绕所述旋转轴均匀分布；所述第一取片槽的数量与所述片位槽的数量相对应，且二者一一对应地设置；所述第二取片槽的数量与所述第一取片槽的数量相对应，且二者一一对应地设置。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有载台机构，用以承载晶片；所述载台机构采用了本发明提供的上述载台机构。