[发明专利]电磁器件及其制作方法

权利要求书

1.一种电磁组件，其特征在于，包含：

一导电结构，所述导电结构包括一被至少一绝缘层所分开的多个导电层以形成一线圈，其中，一贯穿孔由该导电结构的上表面经由该线圈的中空部位延伸至该导电结构的下表面；以及

一磁性成型体，包覆该导电结构及该线圈，所述磁性成型体与该线圈的最上层的线圈图案相接触并延伸至该贯穿孔中，其中，所述延伸至该贯穿孔中的该磁性成型体的一第一部分与该多个导电层上的每一个导电层上的线圈图案的一部分相接触。

2.根据权利要求1所述的电磁组件，其特征在于，该导电结构更包含一基板，其中，该多个 导电层设置于该基板上。

3.根据权利要求1所述的电磁组件，其特征在于，一盲孔设置于一位于一第一导电层上的一第一走线的上方的一第一绝缘层中，其中一位于一第二导电层上的一第二走线设置于该盲孔上方并延伸至该盲孔中，以电性连接该第二走线至位于该第一导电层上的该第一走线。

4.根据权利要求1所述的电磁组件，其特征在于，所述磁性成型体与该线圈的最底层的线圈图案相接触。

5.根据权利要求1所述的电磁组件，其特征在于，包覆该导电结构及该线圈，并延伸至该贯穿孔中的该磁性成型体系一体成形。

6.一种电磁组件，其特征在于，包含：

一基板；

一导电结构，设置于该基板上，所述导电结构包括一被至少一绝缘层所分开的多个导电层以形成一线圈，其中，一贯穿孔由该导电结构的上表面经由该线圈的中空部位延伸至该导电结构的下表面；以及

一磁性成型体，包覆该导电结构及该线圈，所述磁性成型体与该线圈的最上层的线圈图案相接触并延伸至该贯穿孔中，其中，所述延伸至该贯穿孔中的该磁性成型体的一第一部分与该多个导电层上的每一个导电层上的线圈图案的一部分相接触。

7.一种电磁组件，其特征在于，包含：

一导电结构，所述导电结构包括一被至少一绝缘层所分开的多个导电层以形成一线圈，其中，一第一绝缘层位于一第一导电层上方，一第二导电层位于第一绝缘层上方，其中，一盲孔设置于一位于该第一导电层上的一第一导线图案的上方的该第一绝缘层中，其中一位于一第二导电层上的一第二导线图案设置于该盲孔的上方并延伸至该盲孔中，以电性连接该第二导线图案至位于该第一导电层上的该第一导线图案，其中，一贯穿孔由该导电结构的上表面经由该线圈的中空部位延伸至该导电结构的下表面，该电磁组件更包含一磁性成型体，该磁性成型体包覆该导电结构及该线圈，所述磁性成型体与该线圈的最上层的线圈图案相接触并延伸至该贯穿孔中，其中，所述延伸至该贯穿孔中的该磁性成型体的一第一部分与该多个导电层上的每一个导电层上的线圈图案的一部分相接触。

8.一种电磁组件，其特征在于，包含有：

一导电结构，所述导电结构包括一被至少一绝缘层所分开的多个导电层以形成一线圈，其中，一第一绝缘层位于一第一导电层上方，一第二导电层位于第一绝缘层上方，其中，一第一介层插塞设置于一位于该第一导电层上的一第一导线图案的上方的该第一绝缘层中，其中一位于一第二导电层上的一第二导线图案通过该第一介层插塞电性连接该第一导线图案，其中所述第二导线图案具有一倾斜侧壁轮廓，其中，一贯穿孔由该导电结构的上表面经由该线圈的中空部位延伸至该导电结构的下表面，该电磁组件更包含一磁性成型体，该磁性成型体包覆该导电结构及该线圈，所述磁性成型体与该线圈的最上层的线圈图案相接触并延伸至该贯穿孔中，其中，所述延伸至该贯穿孔中的该磁性成型体的一第一部分与该多个导电层上的每一个导电层上的线圈图案的一部分相接触。

9.根据权利要求8所述的电磁组件，其特征在于，一第三导线图案通过一第二介层插塞与下方的第二导线图案电连接，其中所述第三导线图案具有一倾斜侧壁轮廓。