[发明专利]PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法在审
申请号: | 201510945459.3 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN105428450A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 黄金;李高非;王继磊;付少剑;张娟;白炎辉 | 申请(专利权)人: | 晋能清洁能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人: | 夏哲华 |
地址: | 033000 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 晶体 太阳能电池 生产 中的 抛光 方法 | ||
1.一种PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法,其特征是:对单晶硅片进行常规的制绒、扩散、刻蚀槽去除边缘与背面的PN结、正面PECVD镀氮化硅膜工序后,利用带式传动方式刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅,然后经过碱槽进行背表面抛光处理;再通过原子层沉积背面镀氧化铝薄膜后,进行常规的激光开槽、丝网印刷正背面金属浆料、烧结工序,制得PERC电池片。
2.根据权利要求1所述的PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法,其特征是:在利用带式传动方式刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅的过程中,带速为1.8-2.3m/min,配液体积比为HNO3:HF=10:1-4:1,刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的