[发明专利]键合工艺中去除气泡区域的方法有效
| 申请号： | 201510946206.8 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105529303B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气泡区域 切割道 晶圆 去除 键合工艺 掩膜层 工艺步骤 背面减薄 成品率 衬底 键合 刻蚀 切割 兼容 贯通 | ||
1.一种键合工艺中去除气泡区域的方法，其特征是，所述去除气泡区域的方法包括如下步骤：
（a）、提供所需的衬底晶圆（1）以及表面晶圆（2），并将所述表面晶圆（2）与衬底晶圆（1）进行键合固定；
（b）、对键合后的表面晶圆（2）以及衬底晶圆（1）进行检测，以确定气泡区域（3）的位置；
（c）、对上述表面晶圆（2）的背面减薄至所需的厚度，以得到位于衬底晶圆（1）上的薄晶圆（5），所述薄晶圆（5）内若干晶圆芯片通过切割道（4）分隔；
（d）、在上述薄晶圆（5）上设置切割道掩膜层，并对所述切割道掩膜层选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通切割道掩膜层的切割道窗口，所述切割道窗口至少分布于气泡区域（3）外圈对应的切割道（4）上方；
（e）、利用上述切割道窗口对气泡区域（3）外圈对应的切割道（4）进行刻蚀，以去除气泡区域（3）外圈对应的切割道（4）；
（f）、去除上述的切割道掩膜层，并在定位后去除与气泡区域（3）相对应的薄晶圆（5）。
2.根据权利要求1所述的键合工艺中去除气泡区域的方法，其特征是：所述衬底晶圆（1）与表面晶圆（2）键合固定的方式包括金属熔融键合、硅硅键合或氧化硅键合。
3.根据权利要求1所述的键合工艺中去除气泡区域的方法，其特征是：所述步骤（b）中，利用红外检测或C-SAM扫描确定气泡区域（3）的位置。
4.根据权利要求1所述的键合工艺中去除气泡区域的方法，其特征是：所述切割道掩膜层包括光刻胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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