[发明专利]物联网末端低功耗节点射频供能装置

权利要求书

1.一种物联网末端低功耗节点射频供能装置，其特征在于，包括：射频匹配电路、倍压整流电路及稳压电路；所述射频匹配电路用于匹配环境中存在的射频信号；所述倍压整流电路用于将匹配后的射频信号转换为直流电源，所述稳压电路用于对所述直流电源进行稳压；

所述射频匹配电路采用L型匹配电路，由电容C1和电感L1组成，电容C1与电感L1串联，电容C1用于连接频率源，电感L1用于接地。

所述倍压整流电路包括肖恩特二极管、电容C和NMOS管，用于通过所述肖恩特二极管的导通对所述电容C充放电，供后级电容不断累积电荷以升高电压。

2.根据权利要求1所述的物联网末端低功耗节点射频供能装置，其特征在于，所述稳压电路由差分放大器和源级跟随器组成两极放大器，用于形成反馈电路，使电路处于深度反馈状态，将基准参考电压与输出电压进行比较，最终使输出电压与基准源参考电压相同。

3.根据权利要求2所述的物联网末端低功耗节点射频供能装置，其特征在于，所述稳压电路包括启动电路、基准核心电路、差放和后级驱动；

所述启动电路与所述基准核心电路电连接，用于使工作在零状态的电路转入正常工作状态；

所述基准核心电路与所述差放和后级驱动连接，用于基于CMOS管的亚阈值特性进行零温度系数的基准电压输出。

4.根据权利要求3所述的物联网末端低功耗节点射频供能装置，其特征在于，所述启动电路包括：NMOS管和PMOS管；其中，MOSFET1，MOSFET2和MOSFET3用于保证电路工作在正常状态，当电路正常工作，MOSFET1和MOSFET2的栅极电压为低电压，当反相输入电压，MOSFET3管的栅极电压为高压，MOSFET3关闭。

所述基准核心电路包括：NMOS管和PMOS管；其中，MOSFET5，MOSFET7，MOSFET6，MOSFET8，MOSFET4，MOSFET9以及电阻组成PTAT电流源；其中，MOSFET5，MOSFET6，MOSFET7，MOSFET8组成的电路用于提高电源抑制比。

所述差放和后级驱动包括：NMOS管和PMO管；其中，MOSFET12，MOSFET13组成串联电阻，用于将输出电压取样输入到MOSFET10管的栅极，差放包括PMOS和NMOS有源负载；

还包括基准电路，所述基准电路是由MOSFET10，MOSFET11，MOSFET12组成。

5.根据权利要求1所述的物联网末端低功耗节点射频供能装置，其特征在于，将所述T型匹配电路替换为L型匹配电路、Π型匹配电路、混合型匹配电路、单分支匹配电路和双分支匹配电路中的任意一种匹配电路。

6.根据权利要求1所述的物联网末端低功耗节点射频供能装置，其特征在于，将所述倍压整流电路中的二级管替换为MOS管。