[发明专利]垂直梳齿驱动MOEMS微镜及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510950139.7 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN105353506B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 张晓磊;杜妙璇;徐永青 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: G02B26/08 分类号: G02B26/08;B81B5/00;B81C1/00
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 王占华
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 垂直 梳齿 驱动 moems 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种垂直梳齿驱动MOEMS微镜制作方法,其特征在于包括如下步骤:

1)在SOI圆片(2)的结构层(21)的上表面涂敷光刻胶,曝光、显影后在SOI圆片(2)的结构层(21)形成固定梳齿预图形,经刻蚀后形成固定梳齿预结构以及微镜扭转空间;

2)将硅圆片(1)进行氧化,在其上下表面形成氧化层(8);

3)将氧化后的硅圆片(1)与SOI圆片(2)的结构层(21)的上表面进行硅硅键合;

4)去除SOI圆片(2)的衬底层(23)及中间氧化层(22);

5)将步骤4)所形成的器件翻转,在翻转后的器件的上表面制备金属层,涂敷光刻胶、曝光、显影后,再经腐蚀工艺形成梳齿驱动电极(3)和金属反射镜面(7);

6)在上述器件的上表面通过等离子体增强化学气相沉积氧化硅薄膜,作为掩蔽层;

7)在步骤6)所述的掩蔽层表面涂敷光刻胶、光刻、显影,经薄膜腐蚀后形成可动梳齿预掩蔽图形(9);

8)在步骤7)所形成的预掩蔽图形表面,继续涂敷光刻胶、光刻、显影后形成可动梳齿、扭转梁及微镜镜面光刻胶图形(10),薄膜腐蚀去除光刻胶未保护的掩蔽层;

9)在步骤8)所形成的图形表面上进行刻蚀工艺,没有光刻胶保护的区域,垂直向下刻蚀形成可动梳齿结构(4)、扭转梁和可动微镜结构(6);去胶后继续刻蚀,在没有掩蔽层保护的区域,继续垂直刻蚀,将固定梳齿结构(5)暴露出来,腐蚀去除掩蔽层后形成所述MOEMS微镜;

所述硅圆片(1)为双面抛光硅圆片,厚度为400±100μm,SOI圆片(2)的结构层(21)的厚度至少为100μm。

2.如权利要求1所述的垂直梳齿驱动MOEMS微镜制作方法,其特征在于:所述反射镜面层(7)和梳齿驱动电极(3)为铬或金,铬的厚度为10nm-30nm,金的厚度不低于100nm。

3.如权利要求1所述的垂直梳齿驱动MOEMS微镜制作方法,其特征在于:所述步骤9)中的首次刻蚀深度不超过30μm,刻蚀形成的可动梳齿结构(4)的下表面与固定梳齿结构(5)的上表面保持在同一平面。

4.如权利要求1所述的垂直梳齿驱动MOEMS微镜制作方法,其特征在于:所述步骤1)中,经深反应等离子刻蚀DRIE后形成固定梳齿预结构以及微镜扭转空间。

5.如权利要求1所述的垂直梳齿驱动MOEMS微镜制作方法,其特征在于:步骤4)中,采用反应离子刻蚀RIE和湿法腐蚀工艺去除SOI圆片(2)的衬底层(23)及中间氧化层(22)。

6.如权利要求1所述的垂直梳齿驱动MOEMS微镜制作方法,其特征在于:所述步骤9)中,经深反应等离子刻蚀DRIE,垂直向下刻蚀形成可动梳齿结构(4)、扭转梁和可动微镜结构(6)。

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