[发明专利]一种低存储电荷快恢复二极管芯片有效
| 申请号： | 201510951716.4 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105405895B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;马文力;姚伟明;杨党利;王源政;谭德喜 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 225101 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储 电荷 恢复 二极管 芯片 | ||
1.一种低存储电荷快恢复二极管芯片，其特征在于所述二极管芯片采用N+/P-/P+结构，所述二极管芯片的漂移区为P-型漂移区，在正向偏置时，注入所述P-型漂移区的少数载流子为电子；所述N+/P-/P+结构的二极管芯片结构为：在P+型硅单晶衬底上生长有P-型外延层，在所述P-型外延层上设置有N+型主结有源区和N+型场限环区；在部分所述N+型主结有源区上方、部分所述N+型场限环区上方及P-型外延层上表面上设置有氧化硅层；在部分所述N+型主结有源区上方、部分所述N+型场限环区上方及部分所述氧化硅层上方设置有多晶硅场板；在所述多晶硅场板上方、部分所述氧化硅层上方、部分所述N+型场限环区上方设置有钝化层；在所述P+型硅单晶衬底、所述P-型外延层、所述N+主结有源区、所述N+场限环区、所述氧化硅层、所述多晶硅场板及所述钝化层形成的硅片上形成有少子复合中心；在部分所述N+主结有源区上设置有欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上设置有正面欧姆接触金属；在所述P+型硅单晶衬底背面设置有背面欧姆接触金属。
2.根据权利要求1所述的低存储电荷快恢复二极管芯片，其特征在于所述P+型离子浓度至少比所述P-型离子浓度高一个数量级。
3.根据权利要求1所述的低存储电荷快恢复二极管芯片，其特征在于所述P-型外延层厚度为50~70微米。
4.根据权利要求1所述的低存储电荷快恢复二极管芯片，其特征在于所述N+型主结有源区和N+型场限环区的注入离子为磷离子，注入能量为40~150keV，剂量为2e13~1e15cm-2，推进温度为可在1050~1200℃，结深为4~10微米。
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