[发明专利]一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器在审
| 申请号： | 201510952054.2 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105549227A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;李胜;张波;田伟 | 申请（专利权）人： | 成都浩博依科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan 半导体材料 异质结 场效应 晶体管 结构 赫兹 空间 外部 调制器 | ||
1.一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器，其 特征在于：包括衬底层（1）、GaN缓冲层（2）、AlGaN势垒层（3）、欧姆金属层（4）、隔离介质层 （5）、肖特基金属层（6）和超颖材料层（7），隔离介质层（5）设置于欧姆金属层（4）、肖特基金 属层（6）和超颖材料层（7）之间；所述衬底层（1）是外延的GaN缓冲层（2）的衬底，所述GaN缓 冲层（2）和AlGaN势垒层（3）是在衬底上外延的异质结，在自发极化和压电极化的作用下在 异质结界面处产生二维电子气，作为器件的导电沟道；所述欧姆金属层（4）是四层金属材料 Ti/Al/Ni/Au，通过高温快速退火与AlGaN势垒层（3）形成合金后与导电沟道形成欧姆接触； 所述隔离介质层（5）是一层SiNx介质薄膜；所述肖特基金属层（6）是两层金属材料Ni/Au，与 AlGaN势垒层（3）之间形成金属与半导体之间的肖特基接触；所述的超颖材料层（7）由金属 薄膜于隔离介质层（5）表面上、亚波长尺度的金属人工结构单元周期性排列而成。
2.根据权利要求1所述的一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹 波空间外部调制器，其特征在于：所述的衬底层（1）采用蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹 波空间外部调制器，其特征在于：所述的亚波长尺度的金属人工结构单元为各种开口环共 振器SRR或金属线条Cut-wires。
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