[发明专利]化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法

说明书

本发明提供一种尤其在使用有机系显影液形成微细化(例如，30nm节点以下)图案的负型图案形成技术中，可减少粒子的产生的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液及其制造方法、及其应用，化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法包括使含有有机溶剂的液体在具有液体入口部、液体出口部、及设置在将液体入口部与液体出口部加以连接的流路内的过滤膜的过滤装置中通过的步骤，且液体入口部处的液体的温度(T_I)与液体出口部处的液体的温度(T_o)的差的绝对值(|T_I‑T_o|)为3℃以下，过滤装置中的液体的过滤速度为0.5L/min/m²以上，过滤装置中的液体的过滤压力为0.1MPa以下。

技术领域

本发明涉及一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件。更详细而言，本发明涉及一种适合于集成电路(Integrated Circuit，IC)等的半导体制造步骤、液晶及热能头(thermal head)等的电路基板的制造、以及其他感光蚀刻加工(photofabrication)的微影(lithography)步骤的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件。尤其，本发明涉及一种适合于利用将波长为300nm以下的远紫外线光作为光源的ArF曝光装置及ArF液浸式投影曝光装置进行的曝光的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件。

背景技术

从前，作为使用碱性显影液的正型图案形成方法及用于其的正型抗蚀剂组合物，已提出有各种构成(例如，参照专利文献1～专利文献3)。除此以外，近年来，使用有机系显影液的负型图案形成方法及用于其的负型抗蚀剂组合物正以形成如通过正型抗蚀剂组合物所无法达成的微细接触孔或沟槽图案为主要用途而得到开发(例如，参照专利文献4～专利文献7)。

所述正型图案形成方法或负型图案形成方法中所使用的抗蚀剂组合物或显影液通常在利用过滤器来去除抗蚀剂组合物或显影液中的微粒子后得到使用(例如，参照专利文献8及专利文献9)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2006-257078号公报

专利文献2：日本专利特开2005-266766号公报

专利文献3：日本专利特开2006-330098号公报

专利文献4：日本专利特开2007-325915号公报

专利文献5：国际公开2008-153110号手册

专利文献6：日本专利特开2010-039146号公报

专利文献7：日本专利特开2010-164958号公报

专利文献8：日本专利特开2000-005546号公报

专利文献9：日本专利特开2004-195427号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，近年来，在形成接触孔或沟槽图案时，进一步微细化(例如，30nm节点(node)以下)的需求急剧提高。因此，要求进一步抑制特别容易对微细化图案的性能造成影响的粒子的产生。