[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

权利要求书

1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在坩埚底部铺设籽晶，形成籽晶层；

(2)在所述籽晶层上方设置阻挡层，所述阻挡层的熔点小于等于硅的熔点；

(3)在所述阻挡层上方填装硅料，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，所述 硅料熔化过程中，所述阻挡层用于阻挡所述硅熔体与所述籽晶层接触，待所述 硅料和所述阻挡层完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入所述籽晶层时， 调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶；

(4)待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。

2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述阻挡层沿 垂直于所述坩埚底部的方向上没有贯通的缝隙。

3.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述阻挡层材 料选自形状为片状、块状、条状和不规则状材料中的至少一种。

4.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述阻挡层材 料为硅。

5.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述阻挡层包 括硅片层和/或不规则状硅层。

6.如权利要求5所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述阻挡层包 括至少两层硅片层，在所述籽晶层上方设置所述阻挡层时，将多个硅片均匀地 覆盖在所述籽晶层上方形成第一层硅片层，然后再在所述硅片之间形成的缝隙 上再覆盖一层硅片形成第二层硅片层，以使各硅片层之间的缝隙相互错开，直 至多层硅片层沿垂直于所述坩埚底部方向上没有贯通的缝隙，得到所述阻挡层。

7.如权利要求5所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述阻挡层包 括至少两层硅片层且每两层硅片层之间设有一层不规则状硅层。

8.如权利要求5所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述不规则状 硅的长径比大于等于1。

9.多晶硅锭，其特征在于，所述多晶硅锭按照如权利要求1～8中任一权利 要求所述的制备方法制得。

10.多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片为以如权利要求9所述的多晶硅 锭为原料进行开方-切片-清洗后制得。