[发明专利]一种全隔离有源区结构的形成方法在审
| 申请号： | 201510953088.3 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105575879A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 储佳 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 有源 结构 形成 方法 | ||
1.一种全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01，提供一半导体衬底；
步骤S02，采用外延生长工艺在所述半导体衬底上形成外延层；
步骤S03，采用外延生长工艺在所述外延层上表面生长顶层硅；
步骤S04，对所述外延层以及顶层硅图形化，以在所述外延层以及顶层硅 中形成沟槽结构；
步骤S05，采用电解工艺将所述外延层电解为多孔硅；
步骤S06，采用热氧化工艺将所述多孔硅氧化为氧化硅，形成全隔离有源 区结构。
2.根据权利要求1所述的全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于， 所述步骤S01中，所述半导体衬底为N型硅衬底。
3.根据权利要求2所述的全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于， 所述步骤S02中，所述外延层为P型硅外延层。
4.根据权利要求3所述的全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于， 所述P型硅外延层的厚度为2nm～500nm。
5.根据权利要求3所述的全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于， 所述步骤S03中，所述顶层硅为无掺杂硅或N型硅。
6.根据权利要求5所述的全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于， 所述顶层硅的厚度为10nm～2um。
7.根据权利要求1所述的全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于， 所述步骤S04中，采用光刻和刻蚀工艺对所述外延层以及顶层硅图形化。
8.根据权利要求1所述的全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于， 所述沟槽结构的线宽为5nm～0.25um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510953088.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的制作方法及半导体器件
- 下一篇：半导体衬底、器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
