[发明专利]一种高带宽抗弯多模光纤

权利要求书

1.一种高带宽抗弯多模光纤，包括有芯层和包层，芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数为α，其特征在于所述芯层半径R1为23～27μm，芯层中心位最大相对折射率差Δ1_max为0.9％～1.2％，所述的芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，芯层中心位具有最小氟掺杂量，其氟含量质量百分比为C_F,min,芯层的氟含量质量百分比随半径发生变化，并按如下函数分布：

CF(r)=CF,min+CF′×rR1×(k-rR1)]]>

其中，k为常数，其取值范围为1～2.5；C_F’的取值范围为3×10^-3～12×10^-3；所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层。

2.按权利要求1所述的高带宽抗弯多模光纤，其特征在于所述的芯层中心位氟含量质量百分比C_F,min小于或等于1×10^-3；所述的芯层折射率剖面的分布指数α为1.9～2.2。

3.按权利要求1或2所述的高带宽抗弯多模光纤，其特征在于所述的内包层单边宽度(R2-R1)为3.0～6.0μm，相对折射率差Δ2为-0.05％～0.05％，所述的下陷包层单边宽度(R3-R2)为5.0～8.0μm，相对折射率差Δ3为-1.0％～-0.4％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。

4.按权利要求1或2所述的高带宽抗弯多模光纤，其特征在于所述光纤在850nm波长的差分模时延4满足以下标准：DMDInnerMask(5-18μm)和DMDOuterMask(0-23μm)均小于或等于0.14ps/m；DMDIntervalMask小于或等于0.11ps/m。

5.按权利要求1或2所述的高带宽抗弯多模光纤，其特征在于所述光纤的数值孔径为0.185～0.215。

6.按权利要求1或2所述的高带宽抗弯多模光纤，其特征在于所述光纤在850nm波长具有3500MHz-km或3500MHz-km以上带宽，在950nm波长具有2300MHz-km或2300MHz-km以上带宽，在1300nm波长具有500MHz-km或500MHz-km以上带宽。

7.按权利要求1或2所述的高带宽抗弯多模光纤，其特征在于所述光纤在850nm波长具有4700MHz-km或4700MHz-km以上的有效模式带宽；所述光纤在875nm波长具有3400MHz-km或3400MHz-km以上的有效模式带宽。

8.按权利要求7所述的高带宽抗弯多模光纤，其特征在于所述光纤在900nm波长具有2900MHz-km或2900MHz-km以上的有效模式带宽；所述光纤在925nm波长具有2800MHz-km或2800MHz-km以上的有效模式带宽；所述光纤在950nm波长具有2500MHz-km或2500MHz-km以上的有效模式带宽。

9.按权利要求1或2所述的高带宽抗弯多模光纤，其特征在于所述光纤在850nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于0.2dB；在1300nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于0.5dB。