[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510954577.0 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105720020B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 池元义彦;泽地茂典;谷口文彦;胜又章夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社吉帝伟士 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
金属平板；
第一绝缘材料层，其形成在所述金属平板的一个主表面上；
半导体芯片，其具有形成有RF电路的元件电路，并通过粘合层而被安装在所述第一绝缘材料层的表面上，其与元件电路面相反的面成为粘合面；
第二绝缘材料层，其密封所述半导体芯片及其周边；
布线层，其被设置在所述第二绝缘材料层中并且部分地延伸到所述半导体芯片的周边区域；
导电部，其被设置在所述第二绝缘材料层中并且连接所述半导体芯片的所述元件电路面上的电极与所述布线层；以及
外部电极，其形成在所述布线层上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层的厚度为20μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层由两个或者更多个绝缘材料层形成。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述金属平板的面对所述半导体芯片的部分具有凹部，并且所述凹部被第一绝缘材料填充。
5.一种半导体器件，包括：
金属平板；
第一绝缘材料层，其形成在所述金属平板的一个主表面上；
半导体芯片；
第二绝缘材料层，其包封所述半导体芯片及其周边；
布线层，其被设置在所述第二绝缘材料层中并且部分地延伸到所述半导体芯片的周边区域；
导电部，其被设置在所述第二绝缘材料层中并且连接所述半导体芯片的元件电路面上的电极与所述布线层；以及
金属过孔，其被设置在所述第二绝缘材料层中并且电连接到所述布线层，其中
设置有多个所述半导体芯片，
最靠近所述金属平板的半导体芯片具有形成有RF电路的元件电路，并通过粘合层而被固定在所述第一绝缘材料层的表面上，其与所述元件电路面相反的面成为粘合面，并且
其它半导体芯片通过形成所述第二绝缘材料层的绝缘材料而被层叠，其与所述元件电路面相反的面朝向所述最靠近所述金属平板的半导体芯片的所述布线层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，多个所述半导体芯片被布置成使得每个半导体芯片的RF电路的位置不与相邻的半导体芯片重叠。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层的厚度为20μm以上。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层的厚度为20μm以上。
9.根据权利要求5-8中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层由两个或者更多个绝缘材料层形成。
10.根据权利要求5-8中任一项所述的半导体器件，其中，所述金属平板的面对所述半导体芯片的部分具有凹部，并且所述凹部被第一绝缘材料填充。
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