[发明专利]有机电致发光显示装置在审
申请号: | 201510954980.3 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN105720079A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 古家政光 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示装置。
背景技术
在多数有机电致发光显示装置中,在包含布线、TFT(ThinFilm Transistor)等的电路上形成有平坦化膜,像素电极及包含发光层的有 机层形成在平坦化膜之上。在有机层上形成有公共电极。由于平坦化 膜由有机材料形成,因此有时平坦化膜成为水分的渗透路径。若水分 通过平坦化膜到达有机层,则会招致有机层的劣化。
在下述专利文献1中,位于显示区域的外侧区域(周边区域)的 槽形成在平坦化膜。由该槽截断水分向显示区域的渗透路径。在下述 专利文献2中,平坦化膜(在文献2中为有机材料膜10)按各像素而 分离,截断水分的扩散路径。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-335267号公报
专利文献2:日本特开2006-302860号公报
发明内容
有机电致发光显示装置中,在周边区域具有包括构成移位寄存器 等的TFT在内的电路(以下将该电路称为周边电路)。周边电路也被 平坦化膜覆盖。然而,若上述的水分渗透路径截断用的槽形成在平坦 化膜,则在该槽的位置处无法形成周边电路。因此,周边区域的宽度 相应地变大了该槽的宽度。这一点成为有机电致发光显示装置的周边 区域部分缩窄的限制。
本发明的目的在于提供一种在抑制水分向显示区域的渗透的同 时、能够缩窄周边区域部分的有机电致发光显示装置。
本发明的有机电致发光显示装置,包括:具有多个像素的显示区 域;周边区域,作为所述显示区域的外侧的区域;电路层,包括形成 于所述显示区域的电路和形成于所述周边区域的电路;平坦化膜,形 成于所述显示区域,将所述显示区域的电路覆盖,不覆盖所述周边区 域的电路的至少一部分;无机绝缘层,由无机材料形成,所述无机绝 缘层形成于所述周边区域,将所述周边区域的所述电路的所述至少一 部分覆盖。
根据本发明,在抑制水分向显示区域的渗透的同时、能够缩窄周 边区域部分。
附图说明
图1是第一实施方式的有机电致发光显示装置的概略俯视图。
图2是图1所示的有机电致发光显示装置的II-II剖切线处的概 略剖视图。
图3是以与图2同样的视野表示第二实施方式的有机电致发光显 示装置的概略剖视图。
图4是以与图2同样的视野表示第三实施方式的有机电致发光显 示装置的概略剖视图。
附图标记的说明
1a,1b,1c有机电致发光显示装置,2挠性电路基板,3驱动 器IC,8绝缘基板,10TFT基板,10b外周,11薄膜晶体管,12电 路层,13平坦化膜,17接触部,20无机绝缘层,30有机电致发光 元件,31反射膜,32像素电极,33有机层,34公共电极,34a周 边部,40封固膜,50对置基板,62第一导电层,64第二导电层, 111薄膜晶体管,D显示区域,E周边区域。
具体实施方式
以下,基于附图说明本发明的一实施方式的有机电致发光显示装 置1a。需要说明的是,在以下的说明中所参照的附图,有时为了便于 理解特征而适当地将特征部分放大表示,各构成要素的尺寸比率等未 必与实际相同。
此外,在以下的说明中例示的材料等为一例,各构成要素可以与 例示不同,可以在不变更其要旨的范围内进行变更来实施。需要说明 的是,在本实施方式中,为了便于说明,使用X轴(X1方向、X2方 向)、Y轴(Y1方向、Y2方向)、Z轴(Z1方向、Z2方向)的坐 标来说明各构成的位置关系。
首先,说明本发明的一实施方式的有机电致发光显示装置1a的 构成。图1是第一实施方式的有机电致发光显示装置1a的概略俯视 图,图2是图1所示的有机电致发光显示装置1a的II-II剖切线处的 概略剖视图。
如图1所示,本实施方式的有机电致发光显示装置1a具有TFT 基板10和对置基板50。TFT基板10包括:具有多个像素P的显示 区域D、和作为显示区域D的外侧区域的周边区域E。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的