[发明专利]一种透明介质窗、基片处理腔室和基片处理系统

权利要求书

1.一种透明介质窗，所述透明介质窗位于加热组件和基片之间，其特征在于，所述透明介质窗的不同区域的厚度不同，以使所述加热组件对所述透明介质窗加热时，所述透明介质窗的温度均匀；

所述加热组件包括多个灯泡；

所述透明介质窗包括本体和位于所述本体上的多个凸台，每个凸台位于一个灯泡正下方；

所述凸台所在位置的厚度大于所述本体所在位置的厚度，所述凸台和所述本体与空气的接触面积相近或者相同。

2.根据权利要求1所述的透明介质窗，其特征在于，所述透明介质窗上所述凸台所在位置的厚度与所述透明介质窗上所述本体所在位置的厚度之间的差值为5mm±1mm。

3.根据权利要求1所述的透明介质窗，其特征在于，所述透明介质窗的边缘为打磨面，以遮挡射向所述透明介质窗的边缘的光线。

4.一种基片处理腔室，包括腔体，所述腔体内设置有用于承载基片的支撑平台，所述腔体顶部设置有加热组件，其特征在于，所述处理腔室包括如权利要求1所述的透明介质窗，所述透明介质窗位于所述加热组件和所述支撑平台之间。

5.根据权利要求4所述的基片处理腔室，其特征在于，所述加热组件包括排列紧密的内圈灯泡和排列稀疏的外圈灯泡。

6.根据权利要求5所述的基片处理腔室，其特征在于，所述本体和所述凸台的横截面均为圆形，多个所述凸台呈内外圈排布，内圈排布的所述凸台与所述内圈灯泡一一对应，外圈排布的所述凸台与外圈灯泡一一对应。

7.一种基片处理系统，其特征在于，包括如权利要求4~6任一项所述的基片处理腔室。