[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

伴随着液晶LCD以及有机发光二极管OLED为代表的平板显示器向着大尺寸、高分辨率的方向发展，薄膜晶体管TFT作为平板显示行业的核心部件，也得到广泛的关注。现有技术中常用的薄膜晶体管包括非晶硅薄膜晶体管以及氧化物薄膜晶体管，由于氧化物薄膜晶体管具有载流子迁移率高的优势，在导入时无需大幅改变现有的液晶面板生产线等优势，而得到了广泛应用。

现有技术在制作TFT的过程中时，尤其是在制作底栅极和顶接触结构的TFT时，一般是在玻璃基板上形成栅极以后，再在栅极上覆盖栅极绝缘层，由于栅极的存在，相应的在覆盖栅极绝缘层时就会在栅极的位置出现起伏状，再在形成有缘层时，该起伏位置将依然存在。由于源级和漏极是设置在有缘层的上方，因此，在为源级和漏极走线时，就会出现走线爬坡的问题，如图1所示，其中，要爬坡的高度为栅极金属层的厚度102以及有缘层104的厚度之和。由于在TFT实际制作过程中，由于解析度、开口率以及阻容延时等因素的影响，通常根据需要都会将漏极和源级漏极做的很窄，并且TFT本身的厚度也很薄，在爬坡过程中，由于台阶覆盖率以及湿刻等问题，常常会造成短路，极大的影响了TFT在生产过程中的良率以及质量。

现有技术中，为了克服上述问题，一般是采用增加源级和漏极线的宽度，且数据线通过两条路径与源级和漏极连接，但是这种情况下，阻容延时以及其他参数都会相应的增大，不仅限制了分辨率的提高，也降低了开口率。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法，能够在不降低薄膜晶体管分辨率和开口率前提下，有效消除源级和漏极断线的风险。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，

在第一基板上依次形成栅极以及栅极绝缘层；

对所述栅极绝缘层的凸起部位进行刻蚀，形成一凹陷区域；

在所述凹陷区域形成有缘层；

在所述有缘层上形成一漏极和一源级，且所述源级和所述漏极以一沟道分开以暴露部分所述有缘层。

其中，所述有缘层的厚度等于所述凹陷区域的深度。

其中，所述在所述凹陷区域形成有缘层的步骤具体包括：

在所述凹陷区域通过化学沉积非晶硅形成所述有缘层。

其中，所述氧化物薄膜晶体管为低栅极和顶接触结构。

其中，所述在所述有缘层上形成一漏极和一源级，且所述源级和所述漏极以一沟道分开以暴露部分所述有缘层的步骤之后还包括：

在所述氧化物薄膜晶体管的表面沉积钝化层；

在所述绝缘钝化层上刻蚀形成接触通孔；并刻蚀所述接触通孔形成接触电极。

其中，所述在第一基板上依次形成栅极以及栅极绝缘层步骤具体包括：

在所述第一基板上沉积金属膜层，经过曝光，刻蚀形成所述栅极；

在所述栅极以及所述第一基板上沉积所述栅极绝缘层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种氧化物薄膜晶体管，包括第一基板，设置在所述第一基板上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层凹陷区域内的有缘层；还包括位于所述有缘层上方，以一沟道分隔开并暴露部分所述有缘层的源极和漏极；所述凹陷区域为蚀刻所述栅极绝缘凸起部位形成的区域。

其中，所述有缘层的厚度等于所述凹陷区域的深度。

其中，所述有缘层是在所述凹陷区域通过化学沉积非晶硅形成的。

其中，所述氧化物薄膜晶体管还包括覆盖在所述氧化物薄膜晶体管的表面沉积钝化层。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本实施方式的氧化物薄膜晶体管的制作方法在第一基板上形成栅极以及栅极绝缘层以后，对栅极绝缘层凸起部位进行刻蚀，即在栅极绝缘层的表面形成一凹陷区域，能够有效消除栅极绝缘层表面的凸起部位，即消除栅极表面的阶梯爬坡；再在该凹陷区域形成有缘层，最后在有缘层上形成以一沟道分隔开且暴露部分有缘层的漏极和源级，能够使源级和漏极接近平滑的平铺在有缘层上，完全消除由于爬坡而导致的源级和漏极断线的风险。进一步提高氧化物薄膜晶体管的良率以及开口率，改善液晶显示产品的品质。

附图说明

图1是现有技术氧化物薄膜晶体管一结构示意图；

图2是本发明氧化物薄膜晶体管制作方法一实施方式的流程示意；

图3是图2氧化物薄膜晶体管一具体实施方式的剖面结构示意图；