[发明专利]一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法

权利要求书

1.一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于以0.03mmol/mL～0.06mmol/mL的地佐辛为模板分子、0.1mmol/mL～0.5mmol/mL的(5s，8s)-3-(4’-氯-3’-氟-4-丙烯基联苯-3-基)-4-羟基-8-甲氧基-1-氮杂螺[4.5]癸-3-烯-2-酮为功能单体、0.025mmol/mL偶氮二异丁腈为引发剂、0.5mmol/mL马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂、0.0025g/mL～0.0045g/mL纳米氧化锆为掺杂剂，在玻碳电极表面上形成一种杂化纳米氧化锆地佐辛分子印迹聚合物薄膜，然后采用洗脱剂乙酸和异丙醇混合溶剂洗脱模板分子即得；

具体按以下操作进行：

<1>向10.0mL溶剂乙醇中，依次加入0.3mmol～0.6mmol模板分子地佐辛、1.0mmol～5.0mmol功能单体(5s，8s)-3-(4’-氯-3’-氟-4-丙烯基联苯-3-基)-4-羟基-8-甲氧基-1-氮杂螺[4.5]癸-3-烯-2-酮、5mmol交联剂马来松香丙烯酸乙二醇酯、0.25mmol引发剂偶氮二异丁腈及0.0250g～0.0450g的纳米氧化锆，每加入一种化学试剂超声波溶解9分钟；

<2>取步骤<1>的混合物8μL涂于干净光滑的直径为2mm的玻碳电极表面上，放置5小时后，将修饰后的电极置于75℃的真空干燥箱内热聚合3.5小时，然后采用洗脱剂摩尔比为1∶2的乙酸和异丙醇混合溶剂将模板分子洗脱，即得。