[发明专利]一种太阳电池用多晶硅片的微液滴刻蚀制绒方法有效
申请号: | 201510956665.4 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN105405930B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 周浪;肖志刚;陈文浩;耿国营 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330031 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 多晶 硅片 微液滴 刻蚀 方法 | ||
1.一种太阳电池用多晶硅片的微液滴刻蚀制绒方法,其特征是通过密布多晶硅片表面的混合酸溶液微液滴与硅进行化学反应来刻蚀多晶硅片表面的方法。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是将多晶硅片与混合酸溶液共处于一个密封腔室或分处于两个相互联通的密封腔室;混合酸溶液的体积配比为HNO3:HF:H2O=1:0.1-4:0.2-5;加热混合酸溶液至60-90℃,产生腐蚀性蒸气;控制多晶硅片温度,使其起始温度为40-80℃,刻蚀反应结束时温度处于30-70℃;刻蚀多晶硅片0.5-3分钟,之后立即将多晶硅片退出密封腔室,用质量浓度为1-4%的NaOH水溶液漂洗,再用纯水漂洗,烘干,即可在多晶硅片表面得所需绒面。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征是所述的HNO3和HF为分别以不同含水量的硝酸和氢氟酸形式加入。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征是所述的多晶硅片为金刚石线锯切割或砂浆线锯切割。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的