[发明专利]一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510957204.9 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN106894080B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 徐继平;曲翔;刘斌;李耀东;王海涛;程凤伶;刘俊;肖清华;卢立延;盛方毓;边永智;宁永铎;何宇;王雷;张建;刘浩懿 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 高速沉积 多晶硅膜 硅基材料 多晶 硅基 制备 沉积多晶硅薄膜 多晶硅薄膜 工艺控制 有效控制 组合方式 | ||
【权利要求书】：
1.一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法，其特征在于，包括低温高速沉积步骤和高温低速沉积步骤，第一步是低温高速沉积步骤，第二步是高温低速沉积步骤；在低温高速沉积步骤中，温度为600℃-640℃，转速为1.5-2.5rpm；在高温低速沉积步骤中，温度为660℃-690℃，转速为0.5-1.5rpm。
2.根据权利要求1所述的大直径硅基多晶硅膜的制备方法，其特征在于，在所述低温高速沉积步骤中，沉积膜厚为目标膜厚的30％-40％，生长速率为200-300埃/分钟。
3.根据权利要求1所述的大直径硅基多晶硅膜的制备方法，其特征在于，在高温低速沉积步骤中，沉积膜厚为目标膜厚的60％-70％，生长速率为80-120埃/分钟。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的大直径硅基多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述低温高速沉积步骤和高温低速沉积步骤中沉积压力均为200-250MT。
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