[发明专利]一种变色面积可控的全固态电致变色器件及其制备方法

权利要求书

1.一种变色面积可控的全固态电致变色器件的制备方法，所述全固态电致变色器件包括两层玻璃和位于两层玻璃之间多个平行排列的变色条；所述变色条依次由第一导电层（1）、电致变色层（2），离子导电层（3）、离子储存层（4）以及第二导电层（5）组成，其特征在于，该方法包括以下步骤：

（1）在一块导电玻璃上构建宽为1-2 mm，高为30-50 μm的细条干膜；

（2）通过磁控溅射法在步骤1处理后的导电玻璃上依次溅射电致变色层（2）、离子导电层（3）以及离子储存层（4）；

（3）对步骤2处理后的导电玻璃进行刻蚀，去除细条干膜和细条干膜下方导电玻璃的导电层；

（4）对另一块导电玻璃进行刻蚀，使得玻璃上残余部分条状导电层，条状导电层导电层的位置与溅射电致变色层（2）、离子导电层（3）和离子储存层（4）的位置相对应；

（5）采用步骤4处理后的导电玻璃对步骤3处理后的导电玻璃进行封装，即得到全固态电致变色器件；

其中，步骤4包括以下子步骤：

（4.1）贴膜：将干膜通过贴膜机在标准压力下与导电玻璃进行热贴合，贴合速度为1-2m/min，贴合温度为80-100 ^oC；

（4.2）曝光：将准备好菲林片覆盖在干膜上，所述菲林片中间有宽为1-2 mm且相互之前间隔1-2 cm的不透光矩形，随后一起放入曝光机内进行曝光，并用stouffer 41格曝光尺进行光敏性测试，曝光格数为21/41ST；

（4.3）显影：曝光结束后，拿掉菲林片，并将覆有干膜的导电玻璃在显影机中进行显影，显影液为1-5%碳酸钠水溶液，显影温度为25-30 ^oC，显影压力为1.5-1.8 bar，显影速度为1.5-2 m/min，从而去除未曝光部分干膜；

（4.4）蚀刻：将显影完的导电玻璃倾斜30-45度，并用针筒吸取少量的蚀刻液并注射到显影后出现的凹槽内，顺势流下，反复3-5次，蚀刻液为5-10%盐酸溶液；

（4.5）去膜：将蚀刻完的导电玻璃放入去膜机中进行去膜，去膜液为5-8%氢氧化钠溶液，去膜温度为25-30 ^oC，去膜压力为1.5-1.8 bar，去膜速度为1.5-2 m/min，去除曝光部分干膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的电致变色层（2）由三氧化钨(WO₃)，三氧化钼（MoO₃）或五氧化二钒（V₂O₃）构成，膜厚为800-1000 nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的离子导电层（3）由钽酸锂（LiTaO₃）构成，厚度为600-1500 nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的离子储存层（4）由氧化镍（NiO_x）构成，厚度为500-800 nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1具体为：在一层导电玻璃上利用菲林片及30-50 μm厚的干膜进行图形转移，经曝光，显影后在导电面上形成宽为1-2mm，高为30-50 μm的细条干膜，所述菲林片的中间有宽为1-2 mm且相互之前间隔1-2 cm的透光矩形，其余部分不透光。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3具体为：首先采用去膜机去除条状干膜，蚀刻液为质量分数5%-8%的氢氧化钠溶液，去膜温度为25-30 ^oC，去膜压力为1.5-1.8 bar，去膜速度为1.5-2 m/min，然后用针筒将质量分数5-10%的盐酸溶液注射到刻蚀掉干膜留下的凹槽内蚀刻去除细条干膜下方的导电层。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电玻璃为ITO玻璃或掺铝氧化锌薄膜玻璃。

8.如权利要求1所述方法制备得到的变色面积可控的全固态电致变色器件。