[发明专利]液晶显示装置在审
申请号: | 201510957879.3 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN105404048A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 李亚锋 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1368;G02F1/13357 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
1.一种液晶显示装置,其特征在于,包括液晶面板(1)、及设于所述液晶面板(1)下方的背光模组(2);
所述液晶面板(1)包括第一基板(11)、与所述第一基板(11)相对设置的第二基板(12)、位于所述第一基板(11)与第二基板(12)之间的液晶层(13)、及粘结所述第一基板(11)与第二基板(12)的框胶(14);
所述第二基板(12)包括衬底基板(21)、设于所述衬底基板(21)上的遮光金属层(22)、设于所述衬底基板(21)与遮光金属层(22)上的第一绝缘层(23)、设于所述第一绝缘层(23)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的第一钝化层(33)、设于所述第一钝化层(33)上的色阻层(34)、设于所述色阻层(34)上的第一平坦层(35)、及设于所述第一平坦层(35)上的光阻间隙物(39)。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述TFT层(20)包括设于所述第一绝缘层(23)上的多晶硅层(24)、设于所述多晶硅层(24)与第一绝缘层(23)上的第二绝缘层(25)、设于所述第二绝缘层(25)上的栅极(26)、设于所述第二绝缘层(25)与栅极(26)上的第三绝缘层(27)、设于所述第三绝缘层(27)上的源/漏极(28)、设于所述第三绝缘层(27)与源/漏极(28)上的第二平坦层(29)、设于所述第二平坦层(29)上的公共电极层(30)、设于所述第二平坦层(29)与公共电极层(30)上的第二钝化层(31)、及设于所述第二钝化层(31)上的像素电极层(32);所述第二平坦层(29)与第二钝化层(31)上对应所述源/漏极(28)的上方设有过孔(301),所述像素电极层(32)经由所述过孔(301)与所述源/漏极(28)相接触。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述遮光金属层(22)的材料为铬。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述第一基板(11)、衬底基板(21)为玻璃基板。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述背光模组(2)设于靠近所述液晶面板(1)的第一基板(11)的一侧。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述色阻层(34)包括间隔设置的数个红色色阻块、数个绿色色阻块、及数个蓝色色阻块;所述遮光金属层(22)在水平方向上完全遮盖所述色阻层(34)上相邻的两色阻块的间隔区域。
7.如权利要求2所述的液晶显示装置,其特征在于,所述第一绝缘层(23)、第二绝缘层(25)、第三绝缘层(27)为氮化硅层、氧化硅层、或二者的复合结构;所述公共电极层(30)、像素电极层(32)的材料为氧化铟锡。
8.如权利要求2所述的液晶显示装置,其特征在于,所述光阻间隙物(39)包括主光阻间隙物(37)、及辅光阻间隙物(36);所述主光阻间隙物(37)与所述第一基板(11)相接触;所述辅光阻间隙物(36)与所述第一基板(11)之间有间隙。
9.如权利要求2所述的液晶显示装置,其特征在于,所述TFT层(20)还包括设于所述第三绝缘层(27)上的数据线(38)。
10.如权利要求2所述的液晶显示装置,其特征在于,所述遮光金属层(22)在水平方向上完全遮盖所述多晶硅层(24)、栅极(26)、及源/漏极(28)。
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