[发明专利]金属导体结构及线路结构有效

专利信息
申请号: 201510958146.1 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN106793484B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 蔡苑铃;姜颖容;余俊璋 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H05K1/09 分类号: H05K1/09
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 金属 导体 结构 线路
【权利要求书】:

1.一种金属导体结构,其特征在于所述金属导体结构包括:

第一金属导体层,由第一高分子材料与第一金属粒子所组成;

第二金属导体层,覆盖在该第一金属导体层上,该第二金属导体层是由第二金属粒子所组成具有孔隙的结构;以及

第三金属导体层,覆盖在该第二金属导体层上,且该第三金属导体层的金属材料填充在该第二金属导体层的该孔隙中。

2.如权利要求1所述的金属导体结构,其特征在于该第一金属导体层为所述第一金属粒子互相熔接而具有连续相并包含多个孔洞的结构,且该第一高分子材料分布在该些孔洞的表面。

3.如权利要求1所述的金属导体结构,其特征在于该第三金属导体层的该金属材料穿过该第二金属导体层的该孔隙而与该第一金属导体层连接。

4.如权利要求1所述的金属导体结构,其特征在于该第一金属导体层为该第一金属粒子互相堆叠不相互熔接所形成,堆叠孔隙间由该第一高分子材料填充。

5.如权利要求1所述的金属导体结构,其特征在于该第一高分子材料包括聚亚酰胺、聚氟化二乙烯、环氧树脂、乙基纤维素或丙烯酸聚合物。

6.如权利要求1所述的金属导体结构,其特征在于该第二金属粒子包括银、铜、镍、银合金、铜合金或镍合金。

7.如权利要求1所述的金属导体结构,其特征在于该第一金属粒子与该第二金属粒子的材料相同。

8.如权利要求1所述的金属导体结构,其特征在于该第三金属导体层的该金属材料的熔点低于该第二金属粒子的熔点。

9.一种线路结构,其特征在于所述线路结构包括:

绝缘基板;以及

如权利要求1~8中任一所述的金属导体结构,形成在该绝缘基板上。

10.如权利要求9所述的线路结构,其特征在于该绝缘基板的材料包括陶瓷材料或第二高分子材料。

11.如权利要求10所述的线路结构,其特征在于该陶瓷材料包括氧化铝或玻璃,该第二高分子材料包括聚亚酰胺或聚氟化二乙烯。

12.一种线路结构,其特征在于所述线路结构包括:

高分子基板,以及

如权利要求1~8中任一所述的金属导体结构,其中该第一金属导体层内埋在该高分子基板。

13.如权利要求12所述的线路结构,其特征在于该高分子基板的材料与该金属导体结构中的该第一高分子材料相同。

14.如权利要求12所述的线路结构,其特征在于该高分子基板的材料包括聚亚酰胺或聚氟化二乙烯。

15.如权利要求12所述的线路结构,其特征在于内埋在该高分子基板的该第一金属导体层的内埋深度大于5μm。

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