[发明专利]一种制造高效率多晶电池的工艺

权利要求书

1.一种制造高效率多晶电池的工艺，依次包括硅片表面制绒、扩散、刻蚀、氮化硅薄膜沉积、印刷烧结步骤，其特征在于：在所述的硅片表面制绒步骤与扩散步骤之间增加反应离子刻蚀制绒步骤，在所述的刻蚀步骤和氮化硅薄膜沉积步骤之间增加镀Al₂O₃膜步骤，在所述的硅片背面沉积Al₂O₃膜；在所述的氮化硅薄膜沉积步骤和所述的印刷烧结步骤之间增加激光开槽步骤，在所述的Al₂O₃膜上激光开槽。

2.根据权利要求1所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所述的反应离子刻蚀制绒步骤为：使用O₂、SF₆反应离子或Cl₂、SF₆反应离子或SF₆、Cl₂和O₂反应离子，对所述的硅片表面进行轰击刻蚀。

3.根据权利要求2所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所述的反应离子刻蚀制绒步骤为：使用O₂、SF₆反应离子，对所述的硅片表面进行轰击刻蚀。

4.根据权利要求1所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所述的镀Al₂O₃膜步骤为：通过单原子层沉积法、物理气相沉积法、化学液相淀积法或脉冲溅射沉积法，在所述的硅片背面沉积厚度为2~20nm的Al₂O₃膜。

5.根据权利要求4所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所述的镀Al₂O₃膜步骤为：通过单原子层沉积法，在所述的硅片背面沉积厚度为2~20nm的Al₂O₃膜。

6.根据权利要求1所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所述的开槽步骤为：利用激光技术，在所述的Al₂O₃膜上开深度为1~5μm的槽。

7.根据权利要求1~6中任意一项所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：在所述的反应离子制绒蚀刻步骤后增加BOE清洗步骤，对所述的硅片表面进行清洗。

8.根据权利要求7所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所使用的BOE清洗液为NH₄F:HF按照摩尔比5~7:1配成的溶液。

9.根据权利要求8所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：在所述的印刷烧结步骤结束后，进行包装步骤。