[发明专利]改善刻蚀工艺终点监测准确性的方法、刻蚀方法在审
申请号: | 201510960586.0 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN106898561A | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 黄智林;黄秋平;王洪青;严利均;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 徐雯琼,张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 刻蚀 工艺 终点 监测 准确性 方法 | ||
1.一种改善博世法刻蚀工艺终点监测准确性的方法,包括:
获取博世法刻蚀工艺的工艺菜单;
更改工艺菜单中某些步骤的气压参数,以使该工艺菜单中刻蚀步骤与沉积步骤的气压相等;
对于气压参数被更改的步骤,调整工艺菜单中该步骤的其它参数,以补偿其气压参数的更变;
根据该更改气压参数和调整其它参数的步骤,获得新的工艺菜单;
执行该新的工艺菜单,以进行刻蚀。
2.如权利要求1所述的方法,其中,调整其它参数的步骤中,通过调整该步骤的执行时长来补偿气压参数的变更。
3.如权利要求1所述的方法,其中,调整其它参数的步骤中,通过调整该步骤的射频源功率来补偿气压参数的变更。
4.如权利要求1所述的方法,其中,调整其它参数的步骤中,通过同时调整该步骤的执行时长和射频源功率来补偿气压参数的变更。
5.如权利要求1所述的方法,其中,执行该新的工艺菜单后,检测刻蚀结果,假如发现该其它参数的调整未能完全补偿该气压参数的变更,则继续对该步骤的其它参数进行调整。
6.如权利要求1所述的方法,其中,执行该新的工艺菜单后,检测刻蚀结果,假如发现该其它参数的调整的补偿作用超出该气压参数的变更,则继续对该步骤的其它参数进行调整。
7.如权利要求1所述的方法,其中,采用光学发射光谱原位检测技术对刻蚀终点进行监测。
8.如权利要求1所述的方法,其中,该工艺菜单中刻蚀步骤与沉积步骤采用不同的反应气体。
9.一种利用博世法进行刻蚀的方法,所述方法包括交替进行的刻蚀步骤和沉积步骤,其特征在于,所述刻蚀步骤与所述沉积步骤在同一气压值下进行。
10.一种利用博世法进行刻蚀的方法,包括设置工艺菜单的步骤与执行该工艺菜单以进行刻蚀的步骤,所述工艺菜单中包含刻蚀步骤与沉积步骤;
其中,所述设置工艺菜单的步骤包括设置工艺参数的步骤,所述工艺参数包括可瞬变参数与渐变参数,在设置工艺参数的步骤中,将刻蚀步骤与沉积步骤的渐变参数设置为相同。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述渐变参数包括反应腔的气压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造