[发明专利]一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件金属薄膜结构，其特征在于，包括：

形成于芯片(9)的衬底(8)上的导电缓冲层(1)，所述导电缓冲层(1)用于所述芯片(9)的导电和封装引线键合的缓冲；

形成于所述导电缓冲层(1)上的支撑缓冲层(2)，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；

形成于所述支撑缓冲层(2)上的防腐蚀抗老化层(3)，对所述金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；

形成于所述防腐蚀抗老化层(3)上的增强层(4)，用于增加所述防腐蚀抗老化层(3)的硬度和强度，同时改善所述金属薄膜结构的接触特性；

在所述导电缓冲层(1)与衬底(8)之间还形成有籽晶层(5)，所述籽晶层(5)用于所述芯片(9)电镀工艺的导电；

所述籽晶层(5)进一步包括形成于所述衬底(8)上的扩散阻挡层(7)，以及形成于所述导电缓冲层(1)与所述扩散阻挡层(7)之间的粘附层(6)，所述扩散阻挡层(7)用于阻挡所述粘附层(6)向所述衬底(8)的扩散；

在所述扩散阻挡层(7)与所述衬底(8)之间还形成有铝层，所述铝层用于增强所述扩散阻挡层(7)与所述衬底(8)之间的粘附性，减小所述金属薄膜结构与所述衬底(8)之间的接触电阻及高温环境下所述金属薄膜结构与所述衬底(8)之间的应力，所述铝层的厚度为0.001～10μm。

2.一种半导体器件金属薄膜结构，其特征在于，包括：

形成于芯片(9)的衬底(8)上的支撑缓冲层(2)，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；

形成于所述支撑缓冲层(2)上的导电缓冲层(1)，所述导电缓冲层(1)用于所述芯片(9)的导电和封装引线键合的缓冲；

形成于所述导电缓冲层(1)上的防腐蚀抗老化层(3)，对所述金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；

形成于所述防腐蚀抗老化层(3)上的增强层(4)，用于增加所述防腐蚀抗老化层(3)的硬度和强度，同时改善所述金属薄膜结构的接触特性；

在所述支撑缓冲层(2)与衬底(8)之间还形成有籽晶层(5)，所述籽晶层(5)用于所述芯片(9)电镀工艺的导电；

所述籽晶层(5)进一步包括形成于所述衬底(8)上的扩散阻挡层(7)，以及形成于所述支撑缓冲层(2)与所述扩散阻挡层(7)之间的粘附层(6)，所述扩散阻挡层(7)用于阻挡所述粘附层(6)向所述衬底(8)的扩散；

在所述扩散阻挡层(7)与所述衬底(8)之间还形成有铝层，所述铝层用于增强所述扩散阻挡层(7)与所述衬底(8)之间的粘附性，减小所述金属薄膜结构与所述衬底(8)之间的接触电阻及高温环境下所述金属薄膜结构与所述衬底(8)之间的应力，所述铝层的厚度为0.001～10μm。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件金属薄膜结构，其特征在于：所述扩散阻挡层(7)采用钛，所述扩散阻挡层(7)的厚度为0.0001～1μm。

4.根据权利要求3所述的半导体器件金属薄膜结构，其特征在于：所述粘附层(6)采用铜，所述粘附层(6)的厚度为0.001～2μm。

5.根据权利要求1、2或4任一项所述的半导体器件金属薄膜结构，其特征在于：所述导电缓冲层(1)采用铜，所述导电缓冲层(1)的厚度为10～60μm。

6.根据权利要求5所述的半导体器件金属薄膜结构，其特征在于：所述支撑缓冲层(2)采用镍，所述支撑缓冲层(2)的厚度为1～12μm。

7.根据权利要求6所述的半导体器件金属薄膜结构，其特征在于：所述防腐蚀抗老化层(3)采用钯，所述防腐蚀抗老化层(3)的厚度为0.01～5μm。

8.根据权利要求7所述的半导体器件金属薄膜结构，其特征在于：所述增强层(4)采用金，所述增强层(4)的厚度为0.001～1μm。