[发明专利]一种易分散氮掺杂石墨烯粉末的制备方法在审
申请号: | 201510962021.6 | 申请日: | 2015-12-08 |
公开(公告)号: | CN105668552A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 魏志凯;瞿美臻;周固民;张焕;葛武杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院成都有机化学有限公司 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分散 掺杂 石墨 粉末 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种石墨烯材料制备,尤其涉及一种氮掺杂石墨烯的制备技术及所获得的 氮掺杂石墨烯粉末产品。
背景技术
石墨烯作为一种新型的二维材料,是由sp2杂化碳原子以蜂巢的结构形式组成的单层 碳原子层。这种独特的结构使石墨烯具有优异的物理和化学性质,比如高的电导率和热传 导率,大比表面积,高透明度,化学惰性和优异的机械强度,使其在使电子器件,柔性显 示器,太阳能电池,催化剂和储能材料等多种领域具有极大的应用价值。对石墨烯表面进 行氮原子掺杂不仅可以使石墨烯的能带结构发生调整,拓宽了石墨烯的应用范围,而且可 使其性能获得相应的提升。氮元素的掺杂会影响临近碳原子的电子分布,从而在石墨烯表 面构成活性位点,这种活性位点可作为催化位点参与到某些反应中,比如氧还原反应,这 使得其在燃料电池和锂空气电池领域具有极大的应用潜力;氮元素的掺杂可在石墨烯表面 形成较多的缺陷和悬挂键,有利于石墨烯表面的修饰及材料的复合。另外,应用于超级电 容器器件中,这些缺陷或悬挂键可产生赝电容,有利于材料能量密度的提升。因此,氮掺 杂石墨烯制备和应用研究已成为当前众多学科的研究热点。
当前氮掺杂石墨烯的合成方法有两类,一种是直接合成法,如CVD法,偏析生长法, 电弧等离子蒸发法等,这些方法均需要昂贵复杂的设备,生产成本高,产量低,不适合大 规模的生产。另一种是后处理法,主要是对氧化石墨烯或石墨烯进行后续的胺基化处理或 掺杂,如将石墨烯在氨气中煅烧,或在氨气中进行等离子处理,或使用联氨溶液浸泡处理 等,这些方法所得氮掺杂石墨烯往往单层石墨烯团聚严重,造成有效比表面积较低,或还 原程度低,电导率较低,影响氮掺杂石墨烯优异性能的发挥,尤其是应用于储能器件和电 催化领域。针对这一问题,本发明提出一种解决思路,即通过有机小分子的化学修饰反应 和后续的聚合固化反应将胺基固化于氧化石墨烯表面,可有效抑制单层氧化石墨烯在干燥 和还原过程中的所发生的团聚效应,从而可获得膨松、易于分散的氮掺杂石墨烯粉末。
发明内容
本发明公开一种高电导率、高比表面积的易分散氮掺杂石墨烯粉末的制备技术,解决 现有氮掺杂石墨烯电导率低、易团聚的问题,制备工艺和设备简单、成本低、易于工业化 生产,为氮掺杂石墨烯规模化制备和应用提供解决方案。
本发明提供的制备技术如下所述:
步骤1:将含胺基的有机小分子加入到氧化石墨烯溶液中并搅拌;
步骤2:将混合物升温至40~90℃,并加入聚合反应所需助剂,保温2~24h;
步骤3:待保温过程结束后过滤、烘干得到膨松的氮修饰的氧化石墨烯粉末前驱体;
步骤4:将步骤3所得粉末前驱体置于惰性气氛下升温至500~1500℃煅烧,并保温 1~5h,得到黑色或黑灰色的氮掺杂石墨烯粉末。
在本实施例中,步骤1中,步骤1中,所述含胺基的有机小分子为苯胺、吡咯、尿素、 缩二脲、乙二胺、氰胺、三聚氰胺、己二胺、咪唑中至少一种,优选的为吡咯、三聚氰胺 中的一种。
在本实施例中,步骤1中,步骤1中,所述含胺基的有机小分子与氧化石墨烯的质量 比为2∶1~6∶1,优选的为3∶1~4∶1。
在本实施例中,步骤1中,所述氧化石墨烯含氧量为20~60%wt,优选的为30~40%wt。
在本实施例中,步骤2中,所述聚合反应所需助剂包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸 钾、亚硫酸钾、亚硫酸氢钠、六亚甲基四胺、甲醛、乙醛、苯乙醛、呋喃甲醛、过氧化氢、 过氧化二苯甲酰、偶氮二异丁腈中至少一种,优选的为呋喃甲醛,甲醛、六亚甲基四胺中 的一种。
在本实施例中,步骤2中,所述聚合反应所需助剂与氧化石墨烯的质量比为1∶1~4∶1, 优选的为1∶1~2∶1。
在本实施例中,步骤2中,所述聚合反应保温温度为40~90℃,优选的为70~80℃。
在本实施例中,步骤2中,所述聚合反应保温时间为2~24h,优选的为8~12h。
在本实施例中,步骤3中,所述烘干温度为60~100℃,优选的为60~80℃。
在本实施例中,步骤4中,所述惰性气氛为氮气、氩气、氮氢混合气、氩氢混合气中 至少一种。
在本实施例中,步骤4中,所述煅烧温度为500~1500℃,优选的为800~1000℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院成都有机化学有限公司,未经中国科学院成都有机化学有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510962021.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。