[发明专利]信号变送器模块在审
申请号: | 201510962841.5 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN105656437A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 周多道;胡孝华;温新富;章道军 | 申请(专利权)人: | 滁州市博创电气有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/45 |
代理公司: | 安徽信拓律师事务所 34117 | 代理人: | 吴奇 |
地址: | 239000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号 变送器 模块 | ||
技术领域:
本发明涉及一种信号变送器模块。
背景技术:
CBC-FD1信号变送器类似于应变电阻桥式荷重传感器,在直流桥压的激励 下,传感器受到外界作用输出直流毫伏信号,再对直流毫伏信号放大,转换 为0~5V或4~20mA等标准信号。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷,提供一种信号变 送器模块。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现。
信号变送器模块,其特征在于:采用ADIREF01高精度低漂移DC10V参考 电源,经负反馈扩流电路为传感器提供精确稳定的DC10V±0.0002V/800mA激 励电源,输入到CBC-FD1信号变送器的直流毫伏信号经限幅保护后π型滤波, 去除毛刺和共模干扰,共模抑制比140dB,再经AD620低漂移差动仪表放大器 放大到0~10V,由LF444构建镜像电流源变换为DC0~20mA或DC4~20mA信号, 经LC滤波,双向限幅保护输出。
具体电路为:CBC-FD1由高精度低温漂U2REF01CS产生精密DC10V参考电 源,经U3LF444M运放、大功率达灵顿三极管T1BSP51组成可带800mA负载的 精密DC10V参考电源;
DC10V电源为外接桥式电阻应变式荷重传感器等提供激励电源,荷重传感 器在外力作用下输出直流毫伏信号,传感器内部桥式接线图,EXC+、EXC-接 激励,SIG+、SIG-输出信号;
传感器输出的毫伏信号先滤波,接入U1AD620CR仪表放大器,输出 DC0-5V电压,由W2调整放大倍数,W1调整传感器的桥臂的平衡;
U1-6脚输出的电压经U3C放大,输出DC0-10V或DC2-10V;
U3C-8脚的输出电压经恒流源电路转换为DC0-20mA、DC4-20mA或DC0-5V, 经LC滤波输出。
由于全部原器件采用SMD贴片工艺,可靠性更高。
本模块将直流毫伏信号转换为DC0-20mA、DC4-20mA或DC0-5V信号。双向 限幅保护输出,以免外界浪涌干扰损坏输出电路。
附图说明:
图1为本发明的原理示意图;
图2为参考电源电路图;
图3为传感器内部桥式接线图;
图4为传感器接入U1AD620CR仪表放大器输出电路图;
图5为U1-6脚输出的电压经U3C放大输出电路图;
图6为U3C-8脚的输出电压经恒流源电路转换电路图。
具体实施方式:
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了 解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
如图1所示信号变送器模块,采用ADIREF01高精度低漂移DC10V参考电 源,经负反馈扩流电路为传感器提供精确稳定的DC10V±0.0002V/800mA激励 电源,输入到CBC-FD1信号变送器的直流毫伏信号经限幅保护后π型滤波,去 除毛刺和共模干扰,共模抑制比140dB,再经AD620低漂移差动仪表放大器放 大到0~10V,由LF444构建镜像电流源变换为DC0~20mA或DC4~20mA信号,经 LC滤波,双向限幅保护输出。
具体电路为:如图2:CBC-FD1由高精度低温漂U2REF01CS产生精密DC10V 参考电源,经U3LF444M运放、大功率达灵顿三极管T1BSP51组成可带800mA 负载的精密DC10V参考电源;
如图3:DC10V电源为外接桥式电阻应变式荷重传感器等提供激励电源, 荷重传感器在外力作用下输出直流毫伏信号,传感器内部桥式接线图,EXC+、 EXC-接激励,SIG+、SIG-输出信号;
如图4:传感器输出的毫伏信号先滤波,接入U1AD620CR仪表放大器, 输出DC0-5V电压,由W2调整放大倍数,W1调整传感器的桥臂的平衡;
如图5:U1-6脚输出的电压经U3C放大,输出DC0-10V或DC2-10V;
如图6:U3C-8脚的输出电压经恒流源电路转换为DC0-20mA、DC4-20mA或 DC0-5V,经LC滤波输出。
由于全部原器件采用SMD贴片工艺,可靠性更高。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行 业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明 书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下, 本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范 围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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