[发明专利]离子注入机台的测试方法

权利要求书

1.一种离子注入机台的测试方法，用于测试离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定，其特征在于，包括：

提供晶圆；

在所述晶圆表面形成氧化物层，从而使所述晶圆成为测试晶圆；

将所述测试晶圆放置到离子注入机台的离子注入腔室中；

在所述离子注入腔室中对所述测试晶圆进行离子注入；

在所述离子注入后，测量所述氧化物层的电荷，根据所述电荷判断所述离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中所述多晶硅表面生长的所述氧化层的厚度稳定；

其中，通过测量所述氧化物层的平均表面电压得到所述氧化物的电荷，并根据电荷对应的所述平均表面电压判断所述离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中所述多晶硅表面生的所述氧化层的厚度稳定；当所述氧化物层的平均表面电压大于-2V时，判定所述离子注入机台状况异常，不适于对多晶硅进行离子注入；当所述氧化物层的平均表面电压小于等于-2V时，判定所述离子注入机台状况正常，适于对多晶硅进行离子注入。

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述氧化物层为氧化硅层。

3.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度范围为

4.如权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述离子注入采用的离子为砷离子或者磷离子。

5.如权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述砷离子的注入浓度范围为1E15atom/cm²～1E16atom/cm²。

6.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述砷离子的注入电压范围为20kV～60kV。

7.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述砷离子的注入浓度为7E15atom/cm²，所述砷离子的注入电压为30kV，所述氧化硅层的厚度范围为

8.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，采用炉管氧化方法形成所述氧化硅层。

9.如权利要求1至8任意一项所述的测试方法，其特征在于，在测试所述离子注入机台是否适于对所述多晶硅进行离子注入中，所述多晶硅为闪存器件的多晶硅共源极或逻辑运算器件上的栅极。