[发明专利]核聚变装置包层表面附近冷却通道堵塞的无损检测方法

权利要求书

1.一种核聚变装置包层表面附近冷却通道堵塞的无损检测方法，其特征在于：它包括下列步骤：

步骤1：把待检测的包层放入真空热处理炉；

步骤2：在真空热处理炉内设置热电偶，监控环境温度值；分别在包层内冷却通道外表面的各测量位置连接热电偶，监测包层最靠近冷却通道外表面的温度值；

步骤3：对真空热处理炉进行抽真空；

步骤4：在真空热处理炉里，通过辐射加热对包层外表面加热，加热功率逐渐提高，同时在冷却通道内通去离子水对包层进行冷却；

步骤5：环境温度值达到设定值时，停止提高加热功率；待包层最靠近冷却通道外表面的温度值变化达到稳定时，记录各测量位置的温度测量值；

步骤6：建立基于冷却通道无堵塞的包层数值计算模型，采用检测的输入条件进行稳态辐射传热数值模拟计算；计算环境温度值达到设定值时，各测量位置的温度计算值；

步骤7：将步骤5得到的测量值和步骤6得到的计算值进行比较；如果某个测量位置的测量值和计算值偏差大于20％，则得出该位置可能出现冷却通道堵塞的结论。

2.根据权利要求1所述的一种核聚变装置包层表面附近冷却通道堵塞的无损检测方法，其特征在于：它还包括

步骤8：在包层附近使用红外热成像仪，记录环境温度值达到设定值时，包层最靠近冷却通道外表面的温度值变化达到稳定时的各测量位置的温度采样值；将采样值与步骤6得到的计算值进行比较，如果某个位置的采样值和计算值偏差大于20％，则得出该位置可能出现冷却通道堵塞的结论。

3.根据权利要求1或2所述的一种核聚变装置包层表面附近冷却通道堵塞的无损检测方法，其特征在于：所述的步骤3抽真空达到的真空度为1×10^-3Pa。

4.根据权利要求1或2所述的一种核聚变装置包层表面附近冷却通道堵塞的无损检测方法，其特征在于：所述的步骤4中，加热的升温速度为2℃/分钟。