[发明专利]CVD涂层切削工具

权利要求书

1.一种涂层切削工具，所述涂层切削工具包含涂覆有涂层的基底，所述涂层包含α-Al₂O₃层，其中所述α-Al₂O₃层具有通过使用CuKα辐射和θ-2θ扫描的X射线衍射测量的根据哈里斯式限定的织构系数TC(hkl)：

其中I(hkl)为(hkl)反射的测量强度(积分面积)，

I₀(hkl)是根据ICDD的PDF卡号00-010-0173的标准强度，n是在计算中使用的反射的数目，并且其中所使用的(hkl)反射是(1 0 4)、(1 1 0)、(1 1 3)、(0 2 4)、(1 1 6)、(2 14)、(3 0 0)和(0 0 12)，

其特征在于，

TC(0 0 12)≥7.2，

并且其中I(0 0 12)/I(0 1 14)的比率≥1，

其中所述涂层还包含位于所述基底和所述α-Al₂O₃层之间的MTCVD TiCN层，并且其中位于所述α-Al₂O₃层和所述基底之间的所述TiCN层具有通过使用CuKα辐射和θ-2θ扫描的X射线衍射测量的根据哈里斯式限定的织构系数TC(hkl)，其中I(hkl)是(hkl)反射的测量强度(积分面积)，I₀(hkl)是根据ICDD的PDF卡号42-1489的标准强度，n是反射的数目，计算中使用的反射是：(1 1 1)、(2 0 0)、(2 2 0)、(3 1 1)、(3 3 1)、(4 2 0)、(4 2 2)和(5 1 1)，其中TC(2 2 0)≤0.5。

2.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中TC(0 0 12)≥7.4。

3.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中TC(0 0 12)≥7.5。

4.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中TC(0 0 12)≥7.6。

5.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中TC(0 0 12)≥7.7。

6.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中I(0 0 12)/I(0 1 14)的比率≥1.5。

7.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中I(0 0 12)/I(0 1 14)的比率≥1.7。

8.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中I(0 0 12)/I(0 1 14)的比率≥2。

9.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中所述α-Al₂O₃层的厚度为

10.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中所述MTCVD TiCN层的厚度是

11.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中所述涂层还包含位于所述MTCVD TiCN层最外面的并且与所述α-Al₂O₃层相邻的粘结层，所述粘结层包含HTCVD沉积的TiN、TiCN、TiCNO和/或TiCO或其组合。

12.根据权利要求11所述的涂层切削工具，其中所述粘结层包含HTCVD的TiCN和TiCNO。

13.根据权利要求11所述的涂层切削工具，其中所述粘结层的厚度是

14.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中TC(2 2 0)≤0.3。

15.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中TC(2 2 0)≤0.2。