[发明专利]双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法

权利要求书

1.一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧层(2)，在埋氧层(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)中设有P型体区(4)和N型缓冲层(5)，在P型体区(4)内设有N型发射极(6)和P型发射极(7)，N型发射极(6)上方设有多晶硅栅(13)，多晶硅栅(13)上设有金属(18)连接多晶硅栅(13)至结构外围的第二输入\第二输出(16)，在N型缓冲层(5)中设有P型集电极(8)，N型缓冲层(5)上方有多晶硅场板(14)，多晶硅场板(14)由多晶硅场板(14)上方的集电极金属连线(9)连接至结构外围的第一输入\第一输出(15)，P型体区(4)三面包围着N型缓冲层(5)，留有一面的间断，由P型集电极(8)引出的集电极金属连线(9)通过间断区域延伸至结构外的第一输入\第一输出(15)，在集电极金属连线(9)之下靠近结构边缘设有第一沟槽(10)和第二沟槽(11)，第一沟槽(10)浅于第二沟槽(11)，第一沟槽(10)和第二沟槽(11)内掺有介质，第一沟槽(10)和第二沟槽(11)的走向垂直于集电极金属连线(9)的走向，在整个结构外包围有第三沟槽(12)，第三沟槽(12)内掺有介质，隔离整个结构与外围区域，其特征在于第一沟槽(10)下方不与埋氧层接触，留有空隙。

2.根据权利要求1所述的双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，其特征在于第一沟槽(10)深度介于0.1um到100um之间。

3.根据权利要求1所述的双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，其特征在于第一沟槽(10)与第二沟槽(11)的宽度介于0.1um到50um之间。

4.根据权利要求1所述的双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，其特征在于第二沟槽(11)的深度介于0.1um到100umm之间。

5.根据权利要求1所述的双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，其特征在于第一沟槽(10)与第二沟槽(11)之间的沟槽数量介于0到100之间。

6.根据权利要求5所述的双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，其特征在于第一沟槽(10)与第二沟槽(11)之间的沟槽依次变深。

7.根据权利要求1所述的双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，其特征在于第一沟槽(10)、第二沟槽(11)与第三沟槽(12)可以是全二氧化硅或其它耐压介质，也可以是二氧化硅或其它耐压介质包裹多晶硅。