[发明专利]一种电子元器件电极的制作方法

权利要求书

1.一种电子元器件电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)流延薄膜生带；

2)在所述薄膜生带上铺感光乳剂；

3)采用定义了电极图案的掩膜版对所述感光乳剂进行曝光；

4)对所述感光乳剂进行显影，得到电极图案；

5)按照所述电极图案在所述薄膜生带上形成用于制作电极的电极沟槽；

6)去除铺在所述薄膜生带上的所述感光乳剂；

7)在所述电极沟槽中填充电极浆料，制出电极。

2.如权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，步骤1)中，所述薄膜生带含有粉料和用于使所述粉料成型的成型材料，所述成型材料是可溶于有机溶剂、酸性溶液或碱性溶液的材料，优选地，所述粉料为陶瓷、铁氧体或铁粉，所述成型材料为高分子材料，优选地，所述薄膜生带厚度大于50μm。

3.如权利要求1或2所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，步骤2)中，所述感光乳剂为正性或者负性感光胶；所述感光乳剂为负性胶时，曝光部分胶体固化，能耐受有机溶剂、酸性或弱碱性溶液的浸泡而不溶解或腐蚀，未曝光部分可以被所述溶液溶解或腐蚀而去除；所述感光胶为正性胶时，曝光部分胶体分解，可以被有机溶剂、酸性或弱碱性溶液溶解或腐蚀而去除，未曝光部分可以耐受所述溶液的浸泡而不溶解或腐蚀。

4.如权利要求1至3任一项所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，步骤3)中，所述掩膜版的所述电极图案根据感光乳剂为正性或者负性而选择透光或者不透光，优选地，所述电极图案所定义的电极宽度大于50μm，所述曝光机发射的光源波长为365nm。

5.如权利要求1至4任一项所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，步骤4)中用显影液对未固化的那部分感光乳剂进行溶解并冲洗干净，裸露出的所述薄膜生带的图案即为电极图案。

6.如权利要求1至5任一项所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，步骤5)中用刻蚀的方式在所述薄膜生带上形成用于制作电极的电极沟槽，优选地，采用刻蚀液能够溶解或腐蚀所述薄膜生带的成型材料，但对固化后的感光乳剂没有溶解或腐蚀作用，优选地，所述刻蚀液为能够溶解所述薄膜生带中的胶体的有机溶剂，优选地，所述电极沟槽深度大于50μm。

7.如权利要求1至6任一项所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，步骤6)中，采用脱膜液去除剩余的感光乳剂，优选地，所述脱膜液为强碱性溶液。

8.如权利要求1至7任一项所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，步骤7)中，采用网版印刷方法对所述电极沟槽填充所述电极浆料，所述电极浆料为适于网版印刷的电极浆料，优选地，所述电极浆料为银浆或铜浆。

9.如权利要求1至8任一项所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，所述电子元器件为片式叠层电子元器件。

10.如权利要求1至9任一项所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于，制出的电极是宽度大于50μm，厚度大于50μm，截面形状为矩形的电极。