[发明专利]一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺及其制品

权利要求书

1.一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，其制备工艺步骤为：

1）进行基板加工，得到单层基板；

2)对得到的单层基板进行元件封装和胶封，得到单层基板封装体；

3）采用半切工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜相连的独立封装体；

4）对通过背铜相连的独立封装体的背铜以外的表面进行金属屏蔽层电镀；

5）移除底层连接处的背铜，露出底面引脚，得到独立的半成品封装体；

6）对半成品封装体进行集中翻转固定，对其底面引脚进行集中处理。

2.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，在第1)步中进行基板加工，得到单层基板的具体步骤为：

a）取一载板，在载板的上下两面分别压合铜层，将铜层均蚀刻变薄，在载板两面的铜层上电镀铜柱；

b）待铜柱电镀结束后，在载板的两面压合BT树脂和金属铜层，使铜柱封装于BT树脂层中，得到基体；

c）在基体上开铜窗和钻孔，将开设的铜窗和钻孔进行电镀，形成引脚；对基体上的金属铜层进行图形光刻和蚀刻，形成第一导线层，此时形成基板基体；

d）在基板基体上的引脚处设置阻焊层，阻焊层为防焊膜绿漆；

e）在基板基体上的引脚处表面电镀镍层或金层；

f）将基板基体上的载板移除，分别得到载板两侧的单层基板。

3.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，所述带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的厚度为0.2-0.8mm。

4.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，第2）步对单层基板封装体进行元件封装和胶封时的具体步骤为：对得到的单层基板封装体进行元件封装和引线键合或倒装芯片操作，固化IC芯片后，并进行胶封，使IC芯片、引脚、键合线或凸块封装于胶封体内，胶封体的厚度为0.175-0.48mm。

5.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，第3）步采用半切工艺对单层基板封装体进行半切的具体步骤为：对第2）步中得到的单层基板封装体进行镭射切割，采用halfcut工艺对单层基板封装体进行半切，形成通过背铜相连的独立封装体，半切时保留单层基板封装体的背铜不被切穿，保留的背铜铜层厚度为11-25um，相邻封装体间的半切间距为0.125-0.8mm。

6.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装体的制备工艺，其特征在于，第4）步镀金属屏蔽层时，在独立封装体除底面背铜以外的表面镀铜或不锈钢，使金属屏蔽层的厚度大于1um。

7.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，在第6）步中，对底面引脚进行集中处理时，通过植锡球或印刷锡膏对引脚进行集中处理。

8.根据权利要求1所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制备工艺，其特征在于，在第6）步中，对底面引脚进行集中处理时，通过化镀对引脚进行处理，先在引脚上镀一层镍层，然后再镀一层金层。

9.根据上述权利要求所制得的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，包括金属屏蔽层、胶封体、阻焊层、镍或金层、单层基板、BT树脂层、封装元件、引脚；其特征在于：所述的金属屏蔽层覆盖在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上，金属屏蔽层的厚度大于1um。

10.根据上述权利要求9所述的一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，其特征在于：封装结构的单层基板的厚度为0.05-0.3mm。