[发明专利]一种等离子处理改善Al集电极的方法

权利要求书

1.一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：

一、将Al基底材料先置于丙酮溶液中超声清洗1min～5min，然后再置于无水乙醇中超声清洗1min～5min，清洗后烘干，得到清洗后的Al基底材料；

二、将清洗后的Al基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空后，通入氢气，调节氢气气体流量为10sccm～100sccm，再通入氩气，调节氩气体流量为10sccm～100sccm，然后调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为100Pa～300Pa，并在压强为100Pa～300Pa的条件下，在15min将温度升温至300℃～600℃；

三、升温后，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～500Pa，然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～500Pa和温度为300℃～600℃的条件下进行刻蚀，刻蚀时间为10s～900s；

四、刻蚀结束后，停止通入氢气，通入甲烷气体，调节甲烷气体流量为5sccm～50sccm，调节氩气流量为50sccm～100sccm，调节等离子体化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～700Pa，然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～700Pa和温度为300℃～600℃条件下进行沉积，沉积时间为10s～900s，沉积结束后，关闭电源，停止通入甲烷气体，在氩气气氛下，将温度由300℃～600℃冷却至室温，即得到等离子处理改善的Al集电极。

2.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤一中所述的Al基底材料为厚度为5μm～50μm的铝箔。

3.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤一中所述的Al基底材料为厚度为25μm的铝箔。

4.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤二中然后调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa，并在压强为200Pa的条件下，在15min将温度升温至300℃～600℃。

5.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤二中然后调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa，并在压强为200Pa的条件下，在15min将温度升温至550℃。

6.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤二中在15min将温度升温至500℃～550℃。

7.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤三中然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～500Pa和温度为600℃的条件下进行刻蚀，刻蚀时间为10s～900s。

8.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤三中然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～500Pa和温度为300℃～600℃的条件下进行刻蚀，刻蚀时间为300s。

9.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤四中调节甲烷气体流量为15sccm。

10.根据权利要求1所述的一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于步骤四中然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～700Pa和温度为300℃～600℃条件下进行沉积，沉积时间为30s。