[发明专利]高温碳化硅MOSFET驱动电路

权利要求书

1.高温碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，它包括CHT-555定时器、TPS76901稳压芯片T1、TPS76901稳压芯片T2、稳压管D1、稳压管D2、稳压管D3、稳压管D4、稳压管D5、稳压管D6、PNP三极管P1、PNP三极管P2、PNP三极管P3、PNP三极管P4、PNP三极管P5、PNP三极管P6、NPN三极管N1、NPN三极管N2、NPN三极管N3、NPN三极管N4、NPN三极管N5、NPN三极管N6、NPN三极管N7、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4和电容C5；

稳压管D1～D6串联接在一起，稳压管D1的阴极连接电压输入端；稳压管D6的阳极连接信号地；

稳压管D1和稳压管D2的公共节点同时连接电阻R1的一端、PNP三极管P2的发射极和NPN三极管N1的集电极；电阻R1的另一端同时连接PNP三极管P2的基极和电阻R14的一端；PNP三极管P2的集电极同时连接PNP三极管P3的发射极、NPN三极管N1的基极和PNP三极管P1的基极；PNP三极管P3的基极连接电阻R16的一端；NPN三极管N1的发射极和PNP三极管P1的发射极连接在一起，且二者公共节点作为驱动信号输出端连接MOSFET管M1的栅极；MOSFET管M1的源极同时连接电源地、稳压管D2的阳极和稳压管D3的阴极；MOSFET管M1的漏极接电压输入端；

TPS76901稳压器T1的引脚1同时连接稳压管D3的阳极、稳压管D4的阴极、PNP三极管P1的集电极、PNP三极管P3的集电极、PNP三极管P4的发射极、PNP三极管P5的发射极和电阻R10的一端；TPS76901稳压器T1的引脚2、引脚3同时连接稳压管D4的阳极、稳压管D5的阴极和电阻R3的一端；TPS76901稳压器T1的引脚4同时连接电阻R3的另一端和电阻R2的一端；TPS76901稳压器T1的引脚5连接NPN三极管N2的基极，NPN三极管N2的发射极同时连接电阻R2的另一端和PNP三极管P4的集电极，NPN三极管N2的集电极同时连接PNP三极管P4的基极和PNP三极管P5的基极，PNP三极管P5的集电极连接电阻R11的一端；

TPS76901稳压器T2的引脚1同时连接稳压管D5的阳极、稳压管D6的阴极、NPN三极管N5的集电极、NPN三极管N7的基极、电阻R13的一端和电容C5的一端；TPS76901稳压器T2的引脚4同时连接电阻R4的一端和电阻R5的一端；TPS76901稳压器T2的引脚5同时连接电阻R4的另一端、CHT-555定时器的8脚和4脚；TPS76901稳压器T2的引脚2、引脚3同时连接电阻R5的另一端、CHT-555定时器的引脚1、电容C1的一端、PNP三极管P6的集电极、电阻R8的一端、电容C4的一端、电阻R9的一端和电阻R15的一端，并连接信号地；CHT-555定时器的引脚6同时连接引脚2、电阻R6的一端和电容C1的另一端，CHT-555定时器的引脚3同时连接电阻R6的另一端、NPN三极管N5的基极和PNP三极管P6的基极；

NPN三极管N5的发射极同时连接PNP三极管P6的发射极、电容C2的一端和电容C3的一端；电容C2的另一端同时连接电阻R7的一端和电阻R8的另一端；电阻R7的另一端连接NPN三极管N3的发射极，NPN三极管N3的集电极同时连接电阻R10的另一端和NPN三极管N6的基极；NPN三极管N3的基极同时连接NPN三极管N4的基极、电容C4的另一端和电阻R12的一端，NPN三极管N4的集电极同时连接电阻R11的另一端和电阻R12的另一端；NPN三极管N4的发射极连接电阻R9的另一端；

NPN三极管N6的集电极连接电阻R14的另一端；NPN三极管N6的发射极同时连接电阻R13的另一端和电容C5的另一端；

NPN三极管N7的集电极连接电阻R16的另一端，NPN三极管N7的发射极同时连接电容C3的另一端和电阻R15的另一端。

2.根据权利要求1所述高温碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，稳压管D1是30V稳压管，稳压管D2是18V稳压管，稳压管D3是5.1V稳压管，稳压管D4～D6都是5.6V稳压管。