[发明专利]基于电流镜的耐高温恒流启动电路

权利要求书

1.基于电流镜的耐高温恒流启动电路，其特征在于，它包括NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、NMOS晶体管M、电阻R1、电阻R2和恒流二极管D1；

电源正极Vin同时连接NMOS晶体管M的漏极、电阻R2的一端和恒流二极管D1的阳极；

NMOS晶体管M的栅极同时连接电阻R2的另一端、NPN三极管Q1的集电极和电阻R1的一端；

NPN三极管Q1的基极同时连接电阻R1的另一端和NPN三极管Q2的基极；

NPN三极管Q2的集电极连接恒流二极管D1的阴极；

NMOS晶体管M的源极、NPN三极管Q1的发射极和NPN三极管Q2的发射极同时接地；

其中：NPN三极管Q1、NPN三极管Q2和电阻R1构成电流镜结构；流过NPN三极管Q1的电流I2和流过NPN三极管Q2集电极的电流I1保持相等；启动电路的总电流I＝I1+I2+I3，式中I3为NMOS晶体管M中流过的电流；

当温度低于100℃时，由恒流二极管D1负责调节电路电流，以保证总电流I恒定；

当温度高于100℃时，随着温度升高，恒流二极管D1的电流调节能力下降，流过恒流二极管D1的电流I1减小，I2随之减小，电阻R2两端的电压减小，则Q1的集电极-发射极电压升高，即NMOS晶体管M的栅-源极电压V_GS升高，则I3增加，I3的增加量补偿了I1、I2的减小量，总电流I保持恒定。

2.根据权利要求1所述基于电流镜的耐高温恒流启动电路，其特征在于，NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、NMOS晶体管M、电阻R1、电阻R2和恒流二极管D1均采用耐200℃以上高温的电气元件。

3.根据权利要求1所述基于电流镜的耐高温恒流启动电路，其特征在于，NPN三极管Q1和NPN三极管Q2采用型号为2N2222的三极管。

4.根据权利要求1所述基于电流镜的耐高温恒流启动电路，其特征在于，NMOS晶体管M采用型号为SCT30N120的N沟道MOSFET。

5.根据权利要求1所述基于电流镜的耐高温恒流启动电路，其特征在于，恒流二极管D1采用型号为1N5297的二极管。