[发明专利]改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法有效
| 申请号： | 201510969103.3 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105439149B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 | 申请（专利权）人： | 成都蜀菱科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司51226 | 代理人： | 柯海军,武森涛 |
| 地址： | 610000 四川省成都市新津工业园区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改良 西门子 还原 提高 多晶 一次 沉积 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法，其特征在于，氢气与三氯氢硅之原始摩尔比值为4，提高后的氢气与三氯氢硅之摩尔比值为8，即n＝8-4＝4；原始一次沉积率η0为9-11％，摩尔比提高到8之后，代入公式：η＝(1+0.06)nη0，多晶硅一次沉积率η提高到12-14％；一次沉积多晶硅量，即一台还原炉周期产量达到4.1吨/周期.台；
氢气与三氯氢硅之摩尔比值＝4时；供料SiHCl3量：221—181吨/周期；副产SiHCl3量：100.0--102.0吨/周期；副产SiCl4量：126.0--75.0吨/周期；副产SiHCl3/SiCl4的mol比：1.0--1.7；其他微量略；
氢气与三氯氢硅之摩尔比值＝8时；供料SiHCl3量：166—133吨/周期；副产SiHCl3量：80.0--78.0吨/周期；副产SiCl4量：84.0--45.0吨/周期；副产SiHCl3/SiCl4的mol比：1.2--2.2；其他微量略。
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