[发明专利]PZT-ZnO薄膜

权利要求书

1.一种PZT-ZnO薄膜，其特征在于，基底上先利用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备PZT薄膜，低温烧结后得到CNT-ZnO透明导电复合薄膜，具体包括以下步骤：

步骤1：将基底依次用洗洁精水溶液、碱水溶液、酸溶液、无水乙醇和去离子水清洗干净；

步骤2：将无水醋酸锌、六水氯化铝、乙醇胺和乙二醇甲醚在60℃搅拌混合均匀后再在室温下陈化12h得到溶胶A；

步骤3：醋酸铅、硝酸氧锆以及钛酸丁酯在60℃搅拌混合均匀后得到溶胶B；

步骤4：将步骤2得到的溶胶A采用射频磁控溅射步骤1清洗得到的基底上6h得到薄膜，再将薄膜进行热处理，热处理温度为600℃，保温时间15min，然后自然冷却得到掺杂ZnO薄膜；

步骤5：将步骤3得到的溶液B涂布到步骤4得到的掺杂ZnO薄膜上得到薄膜，再将薄膜进行热处理，空热处理温度为600℃，保温时间15min，得到掺杂PZT-ZnO薄膜。

2.根据权利要求1所述的PZT-ZnO薄膜，其特征在于所述碱水溶液为OH^-的摩尔浓度为0.005mol/L的氢氧化钠水溶液或氢氧化钾水溶液。

3.根据权利要求1所述的PZT-ZnO薄膜，其特征在于，所述酸溶液为H⁺的摩尔浓度为0.005mol/L的盐酸溶液、硫酸溶液或硝酸溶液。