[发明专利]烧结稀土永磁体的制造方法

权利要求书

1.一种烧结稀土永磁体的制造方法，包括：

步骤一：制备钕铁硼磁片；

步骤二：使用RxTy材料制备靶材，R为Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、Er、Tm中的一种或多种，T为过渡族元素、Al、Ga中的一种或多种，x和y是重量百分含量，0＜x≤1，0≤y＜1；

步骤三：将磁片装载到连续多弧离子镀镀膜炉中，其中，镀膜炉包括第一炉门和第二炉门，每个炉门具有挂料架，将磁片装载在第一炉门的挂料架上，然后关闭第一炉门进行后续步骤，在进行后续步骤的同时将磁片装载在第二炉门的挂料架上；

步骤四：将镀膜炉内部抽真空，然后通入保护气体；

步骤五：对磁片进行预热；

步骤六：接通弧光电源，在镀膜炉的引弧钩与靶材之间产生弧光放电，从而对磁片进行镀膜；

步骤七：对磁片进行第一级保温处理和第二级保温处理。

2.根据权利要求1所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，在步骤六完成了对装载在第一炉门的挂料架上的磁片进行镀膜之后，打开第一炉门对磁片进行卸载，同时关闭第二炉门重复步骤三～步骤六。

3.根据权利要求1所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，步骤五对磁片进行预热在200～300℃进行，时长0.5h。

4.根据权利要求1所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，磁片的厚度为1～15mm。

5.根据权利要求4所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，磁片的厚度为2～10mm。

6.根据权利要求1所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，步骤六的单靶工作电流为30～100A，放电电压为15～70V。

7.根据权利要求6所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，步骤六的镀膜时间为10～60min，镀膜厚度为3～50μm。

8.根据权利要求1所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，挂料架能够进行公转和自转。

9.根据权利要求1所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，第一级保温处理在750～1000℃保温1～60h。

10.根据权利要求1所述的烧结稀土永磁体的制造方法，其特征在于，第二级保温处理在450～600℃保温1～10h。