[发明专利]肖特基二极管及其制造方法

说明书

本发明公开了一种肖特基二极管，包括金半接触结和位于所述金半接触结周侧的PN结；金半接触结的N型区由位于场氧的底部的N型掺杂区组成；金半接触结的金属形成于场氧去除后的N型掺杂区表面。PN结的P型区形成于金半接触结周侧的有源区中，组成金半接触结的N型区的N型掺杂区同时延伸到有源区中组成PN结的N型区；PN结的P型区的底部区域还延伸到场氧的底部并且金半接触结相交叠。本发明还公开了一种肖特基二极管的制造方法。本发明能提高金半接触结性能的稳定性，提高器件的击穿电压，减少器件的反向漏电。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种肖特基二极管；本发明还涉及一种肖特基二极管的制造方法。

背景技术

肖特基二极管是模拟集成电路中常见的有源器件，它由金属与N型轻掺杂硅接触而形成的单向导电器件。通常肖特基二极管由一个金属/半导体接触结和其两边各一个PN结构成。如图1所示，是现有肖特基二极管的结构图；在半导体衬底如硅衬底中形成有N型轻掺杂区101，一般N型轻掺杂区101由深N阱组成。在半导体衬底上形成有场氧102，场氧102为局部场氧(LOCOS)或浅沟槽场氧(STI)；通过场氧102隔离出有源区，也即被场氧102围绕的半导体衬底为有源区。现有肖特基二极管的金属/半导体接触结即金半接触结由形成于有源区表面的金属105和金属底部的N型轻掺杂区101组成，金属105一般为金属硅化物。

PN结位于金半接触结的周侧，图1为剖面图，图1中显示PN结位于金半接触结的两侧；PN结的P型区103一般采用P阱形成，P型区103底部的N型轻掺杂区101组成PN结的N型区。

PN结和金半接触结都形成于同一个有源区中，P型区103也被金属105覆盖，通过在金属105顶部形成的接触孔和阳极连接。

N型轻掺杂区101的还形成有N+区104，N+区104位于PN结和金半接触结之外的其它有源区中。在N+区104的表面形成有金属硅化物106，金属105一般也为金属硅化物，这时两者同时形成。通过在金属硅化物106顶部形成的接触孔和阴极连接。

图1所示的现有器件结构中，由于金属105和轻掺杂半导体即N型轻掺杂区101接触结的击穿电压较大，肖特基二极管的击穿电压由两边PN结的击穿电压决定。

肖特基二极管的反向漏电流由金属/半导体接触结的反向漏电流与两边PN结的反向漏电流叠加形成。

由于现有肖特基二极管都是在有源区形成即PN结和金半接触结都形成于同一个有源区中，金属为金属硅化物。带来的问题有：

1、肖特基二极管在半导体表面形成，其特性受半导体表面形貌影响很大，性能不太稳定。

2、在半导体表面形成的PN结由于终端问题很难形成超高击穿压，而且反向漏电流较大。

3、在Co硅化物工艺中不能实现Ti硅化物结构的肖特基二极管。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种肖特基二极管，能提高金半接触结性能的稳定性，提高器件的击穿电压，减少器件的反向漏电。为此，本发明还提供一种肖特基二极管的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的肖特基二极管，形成于半导体衬底上，在所述半导体衬底上形成有场氧，由所述场氧隔离出有源区，其特征在于：肖特基二极管包括金半接触结和位于所述金半接触结周侧的PN结。

所述金半接触结的N型区由位于所述场氧的底部的形成于所述半导体衬底中的N型掺杂区组成；所述金半接触结的金属由将所述场氧的位于所述金半接触结区域的部分去除后形成在所述金半接触结的N型区表面的金属组成。

所述PN结的P型区形成于所述金半接触结对应的所述场氧周侧的所述有源区中，组成所述金半接触结的N型区的N型掺杂区同时延伸到所述金半接触结对应的所述场氧周侧的所述有源区中并将所述PN结的P型区包围从而组成所述PN结的N型区。