[发明专利]一种双有源层Cu2O/SnO p 沟道薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510974464.7 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105449000A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 赵高位;刘玉荣;廖荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有源 cu sub sno 沟道 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种双有源层结构的Cu2O/SnOp沟道薄膜晶体管，其特征在于：由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一半导体有源层、第二半导体有源层、源极和漏极；所述第一半导体有源层为p型SnO半导体有源层；所述第二半导体有源层为Cu2O半导体有源层。
2.根据权利要求1所述双有源层结构的Cu2O/SnOp沟道薄膜晶体管，其特征在于：所述第一半导体有源层的厚度为10～30nm；所述第二半导体有源层的厚度为20～30nm。
3.根据权利要求1所述双有源层结构的Cu2O/SnOp沟道薄膜晶体管，其特征在于：所述栅绝缘介质层为HfO2/Al2O3双层薄膜或AlN薄膜，所述栅绝缘介质层的厚度为50～300nm。
4.根据权利要求1所述双有源层结构的Cu2O/SnOp沟道薄膜晶体管，其特征在于：所述源极、漏极为Pt/Ni双层金属薄膜或Au/Ni双层金属薄膜；所述所述源极、漏极的厚度为80～200nm。
5.根据权利要求4所述双有源层结构的Cu2O/SnOp沟道薄膜晶体管，其特征在于：所述源极、漏极为Pt/Ni双层金属薄膜时，Ni薄膜的厚度:30～50nm，Pt薄膜的厚度:50～150nm。
6.根据权利要求1所述双有源层结构的Cu2O/SnOp沟道薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极部分覆盖衬底，所述栅绝缘介质层部分覆盖栅极，所述第一半导体有源层完全覆盖栅绝缘介质层，所述第二半导体有源层完全覆盖第一半导体有源层。
7.根据权利要求1所述双有源层结构的Cu2O/SnOp沟道薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极材料为Pt、Au、Mo、ITO导电薄膜中的一种，所述栅极的厚度为100～200nm；
所述衬底为塑料或玻璃。
8.根据权利要求1～7任一项所述双有源层结构的Cu2O/SnOp沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)在基底上生长金属导电薄膜，然后刻蚀成栅极；
(2)在栅极上沉积绝缘薄膜，形成栅绝缘介质层；所述绝缘薄膜为HfO2/Al2O3双层薄膜或AlN薄膜；
(3)在栅绝缘介质层上沉积半导体薄膜形成第一半导体有源层；所述第一半导体有源层为p型SnO半导体有源层；
(4)在第一半导体有源层上沉积半导体薄膜形成第二半导体有源层，第二半导体有源层为Cu2O半导体有源层；
(5)在第二半导体有源层上沉积导电薄膜，光刻形成源极和漏极；所述导电薄膜为Pt/Ni双层薄膜或Au/Ni双层薄膜；
(6)在空气中于150℃～200℃退火处理。
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