[发明专利]一种碳化硅低压压敏陶瓷及其固相烧结制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅低压压敏陶瓷，其特征在于，所述碳化硅低压压敏陶瓷由碳化硅和固相烧结过程中原位复合的碳组成，所述碳在所述碳化硅低压压敏陶瓷的重量百分含量为3～6wt%的压敏电压U_1mA在1.9Vmm^-1～14.8Vmm^-1可控，非线性系数α<3。

2.根据权利要求1所述的碳化硅低压压敏陶瓷，其特征在于，所述碳化硅低压压敏陶瓷的密度为3.10～3.16g·cm^-3，室温下热导率≥150W·m^-1K^-1。

3.一种如权利要求1或2所述碳化硅低压压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：

配置原始粉料：碳化硅93～97wt%，烧结助剂7wt%以下，粘结剂加入量为粉体总质量的1～10wt%；

将所述原始粉料通过球磨混合，配成固含量为40～45wt%的浆料；

将所得浆料喷雾造粒，依次进行干压成型和等静压成型，获得坯体；

将所得坯体真空脱粘后，在常压惰性气氛条件下于1900～2300℃下烧结1～2小时，得所述碳化硅低压压敏陶瓷。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述SiC粉体的粒径为0.1～1μm。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂为C黑、B、B₄C中的至少一种。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述粘结剂为酚醛树脂、PVA和/或PVB。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述干压成型的压力为15～100MPa。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述等静压的压力为150～210MPa。

9.一种调节碳化硅陶瓷的低压压敏性能的方法，其特征在于，以C黑、B、B₄C中的至少一种作为烧结助剂，以酚醛树脂、PVA和/或PVB为粘结剂无压固相烧结制备原位复合有碳的碳化硅陶瓷，其中C黑和/或酚醛树脂在固相烧结过程中裂解产生的碳作为碳源，通过控制碳源的量以调节碳化硅陶瓷的低压压敏性能以使其压敏电压U_1mA在1.9Vmm^-1～14.8Vmm^-1可控。