[发明专利]一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法在审
申请号: | 201510976224.0 | 申请日: | 2015-12-22 |
公开(公告)号: | CN105575832A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 陈峰;张文奇 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅;刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 堆叠 扇出型 封装 结构 制备 方法 | ||
1.一种多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)承载片(101)作为基底材料,在承载片(101)上覆盖临时键合薄膜(102);
(2)在临时键合薄膜(102)上面形成第一种子层(103),在第一种子层(103)上面形成金属柱(104);
(3)去掉露出的第一种子层(103),将第一芯片(105)的焊盘(106)一面贴在临时键合薄膜(102)上,在第一芯片(105)周围填充第一绝缘树脂(107);所述第一绝缘树脂(107)将临时键合薄膜(102)和第一芯片(105)包裹住,金属柱(104)的顶部露出;
(4)在第一芯片(105)背面倒扣第二芯片(1051),第二芯片(1051)的导电体(108)与金属柱(104)顶部融合;在第二芯片(1051)周围填充第二绝缘树脂(1071);
(5)去除承载片(101)、临时键合薄膜(102)和第一种子层(103),露出第一芯片(105)和金属柱(104);在第一芯片(105)正面涂覆第三绝缘树脂(109),在第三绝缘树脂(109)表面开口,露出金属柱(104)和第一芯片(105)的焊盘(106);在金属柱(104)和焊盘(106)表面形成第二种子层(110);
(6)在第二种子层(110)上面形成导电线路(111),导电线路(111)分别与金属柱(104)和第一芯片(105)的焊盘(106)连接;在导电线路(111)上面覆盖第四绝缘树脂(112),第四绝缘树脂(112)将导电线路(111)和第三绝缘树脂(109)覆盖,在第四绝缘树脂(112)表面形成开口,露出导电线路(111);
(7)在第四绝缘树脂(112)的开口处形成金属球(113),金属球(113)分别与第一芯片(105)的焊盘(106)和金属柱(104)导通。
2.如权利要求1所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是:所述承载片(101)为硅、二氧化硅、陶瓷、玻璃、金属、合金或有机材料的片体,或者为能够加热和控温的平板装置。
3.如权利要求1所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是:所述临时键合薄膜(102)为热塑或热固型有机材料、或者为含有Cu、Ni、Cr或Co的无机材料。
4.如权利要求1所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是:所述金属柱(104)为金属材质,金属柱(104)的顶部材料为含锡金属,或者通过高温、激光、UV或压合工艺成球的金属。
5.如权利要求4所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是:所述金属柱(104)为金、银、铜、锡、钛、镍、镁、铋、钯、镍、铬、铁、铟中的一种或多种金属或合金。
6.如权利要求1所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是:所述第三绝缘树脂(109)和第四绝缘树脂(112)为感光树脂或能够通过干法刻蚀工艺形成图形的树脂。
7.如权利要求6所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是:所述第三绝缘树脂(109)为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB(双苯环丁烯树脂)或PBO(苯基苯并二恶唑树脂)。
8.如权利要求6所述的多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是:所述第四绝缘树脂(112)为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB(双苯环丁烯树脂)或PBO(苯基苯并二恶唑树脂)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510976224.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造