[发明专利]一种介电层及互连结构的制作方法、半导体器件有效
| 申请号： | 201510976482.9 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106910710B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电层 互连 结构 制作方法 半导体器件 | ||
1.一种介电层的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：
步骤S1：提供基底，在所述基底上依次沉积形成初始层、过渡层和第一主体超低k介电层；
步骤S2：在所述第一主体超低k介电层上沉积形成中间终止层，包括步骤：采用有机硅烷和氧化剂作为前驱体，通过等离子体化学气相沉积工艺进行所述中间终止层的沉积，且在沉积过程中将有机硅烷的流量逐渐减小到零，当有机硅烷的流量减小到零后，继续通入预定时间的所述氧化剂，以进行等离子体处理；
步骤S3：在所述中间终止层上沉积形成第二主体超低k介电层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用有机硅烷和氧化剂作为前驱体，通过等离子体化学气相沉积工艺沉积形成所述初始层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用有机硅烷和氧化剂作为前驱体，并通入致孔剂，通过等离子体化学气相沉积工艺沉积形成所述过渡层，其中，所述有机硅烷和所述致孔剂的流量逐渐增加到设定值。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预定时间为3～7s。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用有机硅烷和氧化剂作为前驱体，并通入致孔剂，通过等离子体化学气相沉积工艺沉积形成所述第一主体超低k介电层和第二主体超低k介电层。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述初始层、所述过渡层和所述第一主体超低k介电层的总厚度范围为600～800埃。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述中间终止层的厚度范围为100～300埃。
8.根据权利要求1、2、3和5中任一项所述的制作方法，其特征在于，有机硅烷包括甲基二乙氧基硅烷，所述氧化剂包括氧气。
9.根据权利要求3和5中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述致孔剂包括α-松油烯。
10.一种互连结构的制作方法，包括：
提供基底，在所述基底上采用如权利要求1至9中任一项所述的方法制作形成介电层；
在所述介电层中形成所述互连结构。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在形成所述介电层之前还包括在所述基底上形成刻蚀停止层的步骤。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括采用如权利要求1-9中任一项所述的制作方法形成的介电层。
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