[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体层，所述半导体层包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；

多个第一导电类型的第一柱和多个第二导电类型的第二柱，所述第一柱和所述第二柱形成在所述第一区域中的所述半导体层中，第二导电类型是第一导电类型的相反导电类型；

半导体元件，所述半导体元件形成在所述第一区域中的所述半导体层上方；和

多个第一导电类型的第三柱和多个第二导电类型的第四柱，所述第三柱和所述第四柱形成在所述第二区域中的所述半导体层中，

其中，所述第一柱和所述第二柱交替布置，

其中，所述第三柱和所述第四柱交替布置，

其中，每个第一柱具有距所述半导体层的主表面的第一深度，

其中，每个第三柱具有距所述主表面的第二深度，

其中，所述第一深度小于所述第二深度，

其中，每个第一柱的第一导电类型的区域的底部在所述半导体层的厚度方向上与所述半导体层的背表面以第一距离间隔开，

其中，每个第三柱的第一导电类型的区域的底部在所述半导体层的厚度方向上与所述半导体层的所述背表面以第二距离间隔开，

其中，所述第一距离大于所述第二距离，

其中，在所述半导体层的所述第一区域中，第二导电类型的杂质已经被注入到其中的半导体区域被包括在交替布置有所述第一柱和所述第二柱的区域下方，并且

其中，在所述第一柱下方的所述半导体区域包含第一导电类型的杂质，该第一导电类型的杂质被第二导电类型的杂质反掺杂到使得所述第一柱下方的所述半导体区域的导电类型被反转的程度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，已经形成在所述第一区域中的所述半导体层上方的所述半导体元件包括多个单位单元，

其中，所述单位单元中的每一个包括，

栅电极，所述栅电极经由栅极绝缘膜布置在所述第二柱上方，和

源极区，所述源极区布置在位于所述栅电极的一侧的所述第一柱的上部上方。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述单位单元中的每一个的所述源极区与布置在所述单位单元上方的源电极耦合。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，进一步包括：

栅极引出部，所述栅极引出部布置在所述第二区域中的所述半导体层上方；和

源极引出区，所述源极引出区布置在所述第二区域中的所述半导体层的上部上方，

其中，所述栅极引出部与所述栅电极耦合，并且

其中，所述源极引出区与所述源极区耦合。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：

栅极引出电极，所述栅极引出电极与所述栅极引出部耦合；和

源极引出电极，所述源极引出电极与所述源极引出区耦合，

其中，所述栅极引出电极和所述源极引出区布置在所述第二区域中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一区域的雪崩击穿电压低于所述第二区域的雪崩击穿电压。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

多个第一导电类型的第五柱和多个第二导电类型的第六柱，所述第五柱和所述第六柱形成在第三区域中的所述半导体层中，所述第三区域围绕所述第二区域，

其中，所述第五柱中的每个具有距所述主表面的第三深度，并且

其中，所述第一深度小于所述第三深度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：

电极，所述电极形成在所述第三区域中的所述半导体层上方。